СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава I. Разработка контактной установки рентгеновского экспонирования.
1.1. Методы литографии в производстве СБИСобзор
1.2. Точечные источники рентгеновского излучения
1.3. Разработка контактной рентгенолипмрафической системы ФСР11 Рентгенотрон
1.4. Сравнение источников рентгеновского излучения, определение оптимальных параметров технологического источника синхротронного излучения
1.5. Выводы
Глава II. Разработка технологии изготовления рентгеношаблонов на
основе кремния, легированного бором.
2.1. Требования, предъявляемые к рентгеношаблонам.
2.2. Сравнение методов изготовления мембран рентгеношаблонов.
2.3. Разработка конструкции и технологии изготовления шаблонов для
рентгенолитографии
2.4. Исследование способов формирования рентгенопоглощающего рисунка шаблонов
2.5. Выводы.
Глава III. Исследование литографических свойств резистов, разработка резистов для рентгенолитографии.
3.1. Особенности рентгенорезистов их свойства и характеристики.
3.2. Синтез и исследование чувствительности сополимеров
глицидил мегакрил ата
3.3 Синтез и исследование чувствительности сополимеров метилметакрилата
3.4 Расчет сенсибилизации резистов. Зависимость свойств резистов от длины волны рентгеновского излучения
3.5 Исследование чувствительности, контрастности, разрешающей способности рентгенорезистов к синхротронному излучению
3.6 Выводы
Глава IV. Разработка технологии изготовления СБИС ЦМД емкостью
1 Мбит.
4.1 Постановка задачи.
4.2. Разработка планарной технологии изготовления кристаллов СБИС ЦМД типа КРЦ1.
4.3 Разработка новых технологических процессов и оборудования изготовления фотошаблонов для СБИС ЦМД емкостью свыше
1 Мбит
4.4 Разработка субмикронной технологии изготовления СБИС ЦМД с помощью электронной и рентгеновской литографии
4.4.1. Выбор структуры СБИС ЦМД на основе ионноимплантированных структур продвижения ИИСП и способы их изготовления.
4.4.2. Особенности формирования рисунка элементов СБИС ЦМД
методами ПХТ и ИЛТ
4.4.3 Применение ПХТ для формирования субмикронных структур с размерами элементов 0,1 1,0 мкм
4.5 Выводы
Глава V. Исследование методов формирования субмикронных структур при использовании контактной оптической литографии и метода самоформирования.
5.1. Самоформирование в технологии СБИС.
5.2. Создание МДП транзисторов на Б1 и ваАя с длиной
затвора 0,1 мкм.
5.3. Магнитометр с длиной мостика 0.1 мкм
5.4. ЗУ на ЦМД с плотностью записи более 4 Мбитсм2
5.5. Формирование рисунка линии задержки на ПАВ с периодом
0,2 0,6 мкм.
5.6. Способы создания шаблонов с размерами 0.1 мкм.
5.7. Выводы
Заключение.
Литература
- Київ+380960830922