Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС

Введение
Глава I. Современное состояние проблемы обеспечения качества подзатворного диэлектрика в технологии МДПИС.
1.1. Анализ проблемы управления технологическим процессом производства МДПИС
1.2. Методы исследования и контроля качества подзатворного диэлектрика з технологии МДПИС
1.3. Процессы зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДПИС в условиях сильнополевой инжекции заряда.
1.4. Устройства формирования ртутного электрода
Выводы к главе I
Глава II. Методы исследования основных характеристик подзатворного диэлектрика, технологического процесса его получения и разработка приборов для их реализации.4
2.1. Метод исследования зарядового состояния подзатворного диэлектрика МДПИС на основе дифференциального метода определения напряжения отсечки МДПструктур.4
2.2. Метод исследования качества технологического процесса получения подзатворного диэлектрика на основе метода управляемой токовой нагрузки
2.3. Зонд с ртутным электродом для формирования МДПструктур до проведения операции
металлизации
Вывода к главе II.
Глава III. Исследование технологического процесса
получения подзатворного диэлектрика КМДПИС .
3.1. Исследование поверхности подзатворного диэлектрика после сканирования зондом с ртутным электродом
3.2. Исследование динамики изменения зарядового состояния подзатворного диэлектрика КМДПИС в партии полупроводниковых пластин
3.3. Исследование влияния технологии получения на зарядовую дефектность подзатворного диэлектрика КМДПИС
3.4. Влияние материала затвора МДПструктур на процессы сильнополевой туннельной инжек
Выводы к главе III.
Глава IV. Разработка методов оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДПИС
4.1. Управление технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика на основе статистических измерений напряжения отсечки тестовых МДПструктур с жидкометаллическим электродом
4.2. Производственный метод испытаний подзатворного диэлектрика МДПИС в сильных электрических ПОЛЯХ
4.3. Моделирование допустимых границ изменения дефектности изоляции подзатворного диэлектрика КМДПИС
4.4. Оптимизация режимов проведения технологической операции высокотемпературного отжига.
4.5. Схема оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного
диэлектрика КМДПИС
Выводы к главе IV
Заключение. Основные результаты и выводы.
Литература