Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДОВ ВАНАДИЯ
1.1 Свойства оксидов ванадия
1.2 Применение пленок оксидов ванадия.
1.2.1 Чувствительные элементы неохлаждаемых сенсоров излучения ИК диапазона
1.2.2 Переключатели для энергонезависимой памяти.
1.3 Чувствительные элементы газовых сенсоров
1.4 Методы формирования пленок оксидов ванадия
1.5 Выводы и постановка задачи
ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ НЛО ОКСИДОВ ВАНАДИЯ.
2.1 Физикохимические процессы при абляции
2.1.1 Расчет термодинамических закономерностей фазообразования в системе ванадийкислород.
2.1.2 Определение температуры поверхности мишени.
2.2 Разработка алгоритма для теоретического анализа равномерности осаждения пленки методом ИЛО на пластину диаметром 0 мм.
2.2.1 Параметры процесса сканирования мишени в модуле ИЛО
2.2.2 Определение профиля осаждения пленки.
2.2.3 Разработка модели однородности осаждения пленок методом ИЛО .
2.3 Выводы по главе 2.
ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕЖИМОВ ИЛО ПЛЕНОК УОх
3.1 Исследование влияния длительности ИЛО на электрофизические свойства пленок УОх.
3.2 Исследование влияние температуры подложки при ИЛО на электрофизические свойства пленок УОх
3.3 Исследование влияние давления кислорода при ИЛО на электрофизические свойства пленок УОх.
3.4 Исследование фазового состава пленок УОч, осажденных в вакууме и атмосфере кислорода.
3.6 Сравнительные исследования пленок оксидов ванадия, полученных методами ИЛО и окислением металлического ванадия
3.7 Исследование влияние отжига на сопротивление пленок УОх
3.8 Выводы по главе 3
ГЛАВА 4. ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК УОх В СЕНСОРАХ И МЕМРИСТОРАХ
4.1 Разработка конструкции перестраиваемого по частоте чувствительного элемента сенсора ИК диапазона.
4.2 Разработка конструкции газочувствительного сенсора.
4.3 Создание мемристора на основе пленок УОч.
4.4 Разработка технологических маршрутов формирования чувствительных элементов сенсоров на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК9
4.5 Выводы по главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ А.
Блок схема программы расчета профиля осажденной пленки на подложке
при ИЛО.
ПРИЛОЖЕНИЕ Б.
Документы о внедрении и использовании результатов диссертационной работы
Список сокращений
ИЛО импульсное лазерное осаждение
ИК инфракрасный
ФП фазовый переход
РЭМ растровый электронный микроскогия
МОМ металлоксидметалл
ЛО легированная область
НО нелегированная область
ВАХ вольтамперная характеристика
АО анодное окисление
МЭМС микроэлектромеханические структура
магнетронное распыление при постоянном токе АС магнетронное распыление при переменном токе ЛИ лазерное излучение
атомносиловая микроскопия
СЗМ сканирующая зондовая микроскопия
ДОБЭ дифракция отраженных быстрых электронов ТКС температурный коэффициент сопротивления РЭМ растровая электронная микроскопия
МЛЭ молекулярнолучевая эпитаксия.
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность