Разработка физико-технологических основ получения пленок сульфида самария для тензорезисторов и исследование их параметров

СОДЕРЖАНИЕ
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
1.1. Редкоземельные полупроводники, зонная структура,
основные свойства, фазовый переход полупроводникметалл
1.2. Методы получения халькогеиидов лантаноидов кристаллическая структура, фазовый состав пленок химические методы получения пленок полупроводниковых соединений и перспективы использования их для получения пленок БтБ
1.3. Электрофизические параметры, тензорезистивный эффект
в пленках моносульфида самария
1.4. Обобщенные подходы к решению задачи электропроводности
и расчету физических параметров полупроводников
1.5. Выводы ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК
МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ
2.1. Выбор исходных веществ
2.2. Синтез Искомплсксов Бш и исследование их свойств
2.3. Исследование условий осаждения и свойств пленок
сульфидов самария, полученных из сйскомплексов
2.4. Кристаллическая структура и морфология поверхности пленок
2.5. Выводы ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ
ХАРАКТЕРИСТИК ПЛЕНОК МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ
3.1. Методика исследования
3.2. Рекомбинационные параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария
3.3. Параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария
при сверхвысоких уровнях инжекции
3.4. Выводы 8 ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК
МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ КАК РАБОЧЕГО ТЕЛА ТЕНЗОДАТЧИКОВ
4.1. Лазерная обработка пленок моносульфида самария 0
4.2. Разработка омического контакта к пленкам
моносульфида самария
4.3. Разработка инжектирующего контакта к пленкам моносульфида самария
4.4. Основные свойства тензорезистивных пленок на основе моносульфида самария
4.5. Разработка тснзочувствительных структур на основе полупроводниковых пленок моносульфида самария
4.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА