Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5 : На примере InP

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Диффузия 2п в соединениях А3В
краткий обзор литературных данных
1.1. Традиционные методы диффузии в технологии
полупроводников А3В3 Особенности и недостатки
1.2. Механизмы диффузии Ъп в полупроводниках АзВ,
5 1.3. Выводы
ГЛАВА II. Диффузия Ъп и методики исследования
диффузионных слоев
2.1. Разработка метода диффузии
2.2 Методики исследования диффузионных слоев
2.2.1 Определение профилей распределения атомов по глубине методом массспектрометрии вторичных ионов
2.2.2 Определение концентрации свободных носителей заряда
2.2.3 Контроль совершенства кристаллической структуры образцов
2.3. Выводы
ГЛАВА III Исследование диффузии 7.п в соединения
АзВ5 из полимерных плночных диффузяятов
3.1. Диффузия Ъп в изотермических условиях
3.2. Исследование начальной стадии диффузии
3.3. Феноменологическое описание диффузия Ъп из
полимерных диффузантов в 1пР
стр.
ГЛАВА IV. Притеснение метода диффузии 2и из полимерных плнок в технологии оптоэлектронных приборов на основе АзВв
4.1. ртфотодиоды на основе 1пСаАвР1пР
4.2. Светодиоды на основе АЮаАвСаАа
4.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Литература