ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННОЙ ФИЗИКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1 Физические процессы, возникающие в кремнии при радиационном технологическом процессе с применением быстрых электронов
1.2 Механизм образования и физическая природа глубоких радиационных
центров в кремнии
1.3 Кинетика отжига радиационных центров
1.4 Поверхностные радиационные эффекты
1.5 Выводы к главе 1
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР. ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
2.1 Методика радиационного технологического процесса
2.2 Обоснование выбора объектов исследования
2.2.1 Конструктивнотехнологические особенности и характеристики объектов исследования
2.2.2 Разработка технологического маршрута изготовления диодов с применением РТП
2.3 Оборудование радиационной обработки быстрыми электронами Линейный ускоритель Электроника ЭЛУ 6
2.4 Методика и оборудование для измерения релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниковых структурах
2.4.1 Методика релаксационной спектроскопии глубоких уровней РСГУ
2.4.2 Измеритель релаксации емкости
2.4.3 Методика расчета параметров глубоких уровней из спектра РСГУ
2.5 Методика и оборудование для измерения статических и динамических параметров диодных структур
2.5.1 Измеритель характеристик полупроводниковых приборов Л2
2.5.2 Прибор для измерения времени восстановления обратного сопротивления времени на основе цифрового осциллографа
2.5.3 Измеритель емкости диодных структур ИЕ
2.6 Выводы к главе
ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С ПРИМЕНЕНИЕМ РАДИАЦИОННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
3.1 Спектроскопия глубоких уровней методом РСГУ
3.2 Влияние режимов операций РТП на статические параметры
3.3 Влияние режимов операций РТП на динамические параметры
3.4 Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА НА СТАТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР
4.1 Расчет динамики изменения статической и динамической мощностей при облучении быстрыми электронами
4.2 Влияние РТП на вольт амперные характеристики силовых кремниевых диодных структур
4.3 Влияние облучения быстрыми электронами на концентрацию носителей
заряда и распределение примеси в активных областях диодных структур
4.4 Положение уровня Ферми, в кремнии облученного интегральным потоком быстрых электронов
4.5 Влияние облучения быстрыми электронами на удельное
электросопротивление силовых кремниевых диодных структур
4.6 Моделирование работы силового диода
4.7 Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Киев+380960830922