- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Остовно-валентна люмінесценція та параметри енергетичної структури широкощілинних галоїдних кристалів
Тип работы:
Дис. канд. наук
Год:
2009
Артикул:
0409U001920 129 грн
Рекомендуемые диссертации
- Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових СdТe діодних структурах
- Спектри та взаємодія квазічастинок у комбінованих наносистемах аксіальної симетрії
- Вплив непараболічності енергетичного спектру носіїв на кінетичні коефіцієнти p-CdSe та p-CuInSe2
- Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціями
- Анізотропія діелектричних властивостей кристалів KH2PO4, KD2PO4 і NаКС4H4O6*4H2O при дії зовнішнього тиску та електричного поля
- Перехідні теплові процеси у напівпровідниках
- Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
- Вплив параметрів і типу базових напівпровідників на характеристики фоточутливих структур на їх основі
- Вплив мікроструктурних перетворень на люмінесценцію низькорозмірних ZnS, CdSe
- Радіаційно- і термоіндуковані оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3