Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі

Содержание
Стр.
Введение………………………………………………………………………
Раздел 1. ОБЗОР СУЩЕСТВУЮЩИХ МЕТОДОВ ОЧИСТКИ, СИНТЕЗА И ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ
ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АВ6.
1.1.
Обзор методов очистки материалов, применяемых в электронной
технике……………………………………………………………….
1.1.1.
Очистка простых веществ методом дистилляции.……………….
1.1.2.
Очистка веществ методом зонной плавки……………………….
1.2.
Обзор существующих методов синтеза бинарных полупроводников АВ
…………………………………………….
1.3.
Методы выращивания монокристаллов соединений группы AB6.
1.3.1.
Выращивание кристаллов из газообразного состояния……………
1.3.2.
Выращивание бинарных полупроводниковых кристаллов из раствора в
расплаве.……………………………………….…………
1.3.3.
Выращивание кристаллов из расплава………………………….
1.4.
Материалы, используемые в качестве детекторов ионизирующих излучений, и их
параметры…………………………………….….
1.4.1.
Полупроводниковые детекторы………………………………….……
1.4.2.
Обзор бинарных полупроводниковых соединений возможных к применению в качестве
детектирующих устройств регистрации ионизирующих и ультрафиолетового
излучений……………………
1.5.
Постановка задачи исследования.………………………………….
Раздел 2. Особенности глубокой очистки материалов во вращающемся
контейнере…………………………….…………
2.1.
Условия кристаллизационной очистки во вращающемся
контейнере…………………………………………………………….
2.2.
Оптимизация процесса очистки простых веществ в установке с вращающимся
контейнером ……….………………………………
2.2.1.
Осуществление процесса дистилляции во вращающемся
контейнере………………………………………………………….
2.2.2.
Направленная кристаллизация цинка, кадмия и теллура во вращающемся контейнере в
атмосфере водорода …………………
2.2.3.
Вертикальная зонная очистка кадмия, цинка и теллура….…………
2.3.
Исследование примесного состава веществ в зависимости от условий их очистки и
получения …………………………………….
Выводы к
разделу …………………………………………………………….
Раздел 3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА И ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ БИНАРНЫХ
СОЕДИНЕНИЙ АВ………………………
3.1.
Разработка оборудования и технологии синтеза полупроводниковых материалов
…………………………………
3.2.
Разработка конструкции печи ГНК и технологии выращивания кристаллов теллурида
кадмия методом динамического перемещения теплового поля………………………………………
3.2.1.
Описание конструкции печи ГНК……………………………….
3.2.2.
Разработка технологии выращивания кристаллов теллурида кадмия методом
динамического перемещения теплового поля ……
Выводы к
разделу ……………………………………………………………
Раздел 4. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ CdTe И
Cd(Zn)Te
4.1.
Разработка технологии изготовления полупроводниковых детекторов
………………………………………………………….
4.1.1.
Механическая и химическая обработка кристаллов CdTe и
Cd(Zn)Te…
4.1.2.
Нанесение омических контактов на поверхность кристаллов CdTe и
Cd(Zn)Te………………………………………………………
4.2.
Электрофизические свойства контакта металл-полупроводник ….
4.3.
Пассивация боковых поверхностей детекторов…………………….
4.4.
Изучение ВАХ детекторов CdTe и Cd(Zn)Te……………………….
4.5.
Зависимость динамического сопротивления и ВАХ детекторов от
температуры…………………………………………………………….
4.6.
Изучение детектирующих параметров ППД на основе кристаллов CdTe и
Cd(Zn)Te………………………………………………………
4.6.1.
Счетный режим работы ППД………………………………………….
4.6.2.
Спектрометрические измерения ППД источника Am……………
Выводы к
разделу …………………………………………………………….
Раздел 5. особенности конструкций и методы изготовления детекторов на основе
кристаллов ZnSe…
5.1.
Разработка конструкции и методики изготовления диодов Шоттки для детекторов
УФ-излучения ………………………………………
5.1.1.
Оптимизация электрических параметров подложек ZnSe.………….
5.1.2.
Подготовка поверхности полупроводника перед формированием барьерного слоя
………………………………………………………
5.1.3.
Разработка методики изготовления диодов Шоттки на подложках из кристаллов
ZnSe.
5.1.4.
Опто-электрические параметры диодов Шоттки полученных по усовершенствованной
методике………………………………………
5.2.
Разработка конструкции и методики изготовления D-и D-матриц, методов их
тестирования по параметрам сцинтилляционной эффективности и однородности
параметров…
5.2.1.
Методика изготовления сцинтилляционных D-матриц…………
5.2.2.
Методики и результаты тестирования сцинтилляционных D-и D-матриц на основе
кристаллов ZnSe……………………………….
5.2.3.
Изучение взаимного влияния сигнала в многоэлементных
сцинтилляторах……………………………………………………….
Выводы к
разделу …………………………………………………………….
Основные результаты и выводы………………………………………………
Список