- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Тип работы:
Дис. докт. наук
Год:
2008
Артикул:
0508U000525 129 грн
Рекомендуемые диссертации
- Модифікація властивостей вузькощілинних твердих розчинів CdxHg1-xTe при іонному травленні.
- Фізичні властивості і дефекти структури бінарних фосфідів А2В52 і А3В5
- Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини AIIBVI та фотоприймачі на їхній основі
- Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі
- Механізми люмінесценції в дифузійних шарах широкозонних II-VI напівпровідників.
- Процеси переносу заряду в легованих кристалах CdTe, Cd0,95Hg0,05Te та структурах на їх основі.
- Електронні явища в вузькощілинних та безщілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури
- Локалізовані стани носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабні електричні неоднорідності в кристалах Сd1-xZnxТе і ZnSe
- Оптичні та електрофізичні властивості монокристалів селеніду цинку, легованих елементами перехідних металів.
- Анізотропія діелектричних властивостей кристалів KH2PO4, KD2PO4 і NаКС4H4O6*4H2O при дії зовнішнього тиску та електричного поля