- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Тип роботи:
Дис. докт. наук
Рік:
2008
Артикул:
0508U000525 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптичні та магнітооптичні властивості оксидних напівмагнітних напівпровідників на основі ZnO
- Кінетичні явища та електронні процеси в просторово неоднорідних і низькорозмірних напівпровідникових структурах з розвинутою поверхнею
- Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів
- Релаксаційні процеси в сенсорах зображень на основі неідеального гетеропереходу CdS-Сu2S
- Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6
- Температурно-часові ефекти у неспівмірній фазі кристалів тетраметиламін-тетерахлорметалатів
- Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію
- Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах
- Рекомбінаційні, фотоелектричні і фотохімічні явища в широкозонних шаруватих кристалах і структурах, зумовлені складними дефектами при низькоенергетичних збудженнях
- Кінетичні ефекти у твердих розчинах кремній-германій