Оглавление
Введение
1 Процесс дефектообразования в полупроводниках и взаимодействие во внешней фазе
1.1 Дефекты в полупроводниках и свободная энергия Гиббса
1.2 Статистическое взаимодействие.
1.3 Энтальпия и энтропия дефектообразования.
1.4 Химический потенциал
. 1.5 Постановка задачи
2 Термодинамика образования дефектов в полупроводни
ках
2.1 Свободная энергия кристаллизующегося раствора .
2.2 Расчет равновесных концентраций дефектов и свободных носителей заряда
2.3 Кривые солидуса .
2.4 Химический потенциал и активность.
2.5 Влияние ионизации и кластеризации на растворимость
примесей в полупроводниках . .
2.6 Системы германиймышьяк и германийалюминий .
2.7 Политропия в системе германийсурьма
2.8 Выводы
3 Образование кластеров в газах
3.1 Кластеризация в газовой фазе и уравнение состояния .
3.1.1 Модель системы частиц с учетом образования кластеров.
3.1.2 Распределение комплексов по размерам .
3.1.3 Уравнение состояния с учетом образования кластеров
3.2 Химический потенциал атомов реального газа .
3.3 Закон соответственных состояний.
3.4 Инертные газы.
3.5 Уравнение состояния водяного пара.
3.6 Термодинамика фазового равновесия кристаллпар .
3.6.1 Предварительные замечания . .
3.6.2 Свободная энергия системы кристаллпар
3.6.3 Расчет фазового равновесия в системе кристалл
пар для полупроводников А3 В5.
3.7 Выводы.ч.
Кластеризация в расплавах
4.1 Введение .
4.2 Кластеры в расплавах простых веществ
4.2.1 Свободная энергия расплава, содержащего атомы одного типаА. . . .
4.2.2 Кривые послеплавления элементов IV группы .
4.3 Стехиометрические кластеры в расплавах двухкомпонентных соединений А3В.
4.3.1 Свободная энергия расплава с учетом кластеризации .
4.3.2 Кривые ликвидуса соединений А3В5 .
4.3.3 Расчет кривых ликвидуса и послеплавления в ваАБ
4.3.4 Теплота плавления кластеров.
4.3.5 Диаграммы равновесия двухкомпонентных систем с учетом кластеризации
4.4 Кривые ликвидуса двухкомпонентных соединений с малой предельной растворимостью.
4.5 Выводы.
Литература
- Киев+380960830922