СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. СТРУКТУРНЫЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ аналитический обзор
1.1. Кристаллографическая структура
и свойства стронцияалюминия фторида
1.1.1. Кристаллографическая структура.
1.1.2. Фоионные спектры кристаллов .
1.2. Люминесценция примесных ионов в кристаллах 1I5 .
1.2.1. Двухвалентные редкоземельные ионы , i, . .
1.2.2. Трехвалентные редкоземельные ионы Се, Рг
1.3. Выводы по главе 1, постановка цели и задач работы
2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.
2.1. Объекты исследования
2.1.1. Образцы и их аттестация .
2.1.2. Комбинационное рассеяние с пространственным разрешением как метод аттестации образцов
2.2. Методы экспериментального исследования
2.2.1. Фотолюминесцентная спектроскопия с временным
разрешением
2.2.2. Спектроскопия с использованием ультрамягкого
рентгеновского излучения.
2.2.3. Времяразрешенная лазерная спектроскопия.
2.2.4. Катодолюминесценция. рентгенолюминссцепция и
метод термостимулированной люминесценции.
2.2.5. Стационарная абсорбционная спектроскопия.
2.3. Обработка экспериментальных данных и математическое моделирование
2.3.1. Обработка и представление экспериментальных данных .
2.3.2. Модель обменных зарядов в расчете параметров кристаллического поля.
2.4. Выводы но главе 2
3. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НА ОСНОВЕ ИОНОВ Се3 В КРИСТАЛЛАХ Се3 гЭгАЛ.
3.1. Внутрицентровая люминесценция ионов Се3.
3.1.1. Спектры оптического поглощения и ФЛ.
3.1.2. Лазерная спектроскопия с временным разрешением .
3.1.3. Анализ спектров возбуждения ФЛ
3.1.4. Расчет эмпирических параметров ионов Се3.
3.2. Расчет расщепления электронной 5соболочки ионов Сс3
кристаллическим полом
3.2.1. Исходные данные и результаты расчета
3.2.2. Метод определения кристаллографической позиции
иона Се для регулярных центров ФЛ.
3.3. Выводы по главе 3
4. ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ ЭгА.
4.1. Люминесценция дефектов в кристаллах ЭгА.
4.1.1. Собственные дефекты в нелегированных кристаллах .
4.1.2. Дефекты в кристаллах, легированных Сс3.
4.1.3. Дефекты в кристаллах, легированных Сс1зь
4.2. Передача энергии от дефектов к редкоземельным центрам
люминесценции .
4.2.1. Передача энергии в кристаллах .
4.2.2. Спектры ФЛ и передача энергии в кристаллах 3i3 .
4.3. Выводы по главе 4
5. ЭКСИТОННЫЕ ПРОЦЕССЫ И ПЕРЕДАЧА ЭНЕРГИИ
5.1. Люминесценция автолокал изованны х экситопов в чистых и
легированных кристаллах 5.
5.1.1. Люминесценция АЛЭ при возбуждении п области создания экситонов и межзоином возбуждении
5.1.2. Люминесценция АЛЭ при возбуждении электронным пучком .
5.1.3. Люминесценция АЛЭ при возбуждении XVизлучением
5.1.4. Характеристика люминесценции АЛЭ в кристаллах
5.2. Передача энергии от электронных возбуждений к центрам
люминесценции .
5.2.1. Люминесценция ионов Се3 и 3 при возбуждении
в области фундаментального поглощения.
5.2.2. Температурная зависимость люминесценции кристаллов Се 5 при возбуждении XVизлучением .
5.2.3. Термостимулированная люминесценция ионов Се3 и и рекомбинационный механизм передачи энергии.
5.3. Выводы по главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список использованных источников
- Киев+380960830922