Содержание
Введение
1 Субмонослойные реконструкции и их применение для модификаций поверхностей полупроводников.
Введение.
1.1 Основные представления о поверхностных структурах
1.2 Атомарночистые поверхности 0 и 1
1.2.1 Атомная структура поверхности 02x1
1.2.2 Атомная структура поверхности 17x7
1.3 Поверхностные фазы 0с4х А1, 1аг3 х 3Аи
и 15,x5,Си
1.3.1 Поверхностная фаза 0с4хА1
1.3.2 Поверхностная фаза 1а3 х 3Аи.
1.3.3 Поверхностная фаза 15,x5,Си
1.4 Использование поверхностных реконструкций для модификации режимов роста металлов.
1.5 Поверхностная диффузия.
1.6 Кинетическая теории зародышеобразования
Выводы по главе
2 Экспериментальная установка и методы исследования
Введение.
2.1 Экспериментальная установка
2.2 Методы исследования
2.2.1 Сканирующая туннельная микроскопия.
2.2.2 Дифракция медленных электронов.
2.2.3 Электронная Оже спектроскопия
2.3 Экспериментальные методики.
2.3.1 Приготовление атомарночистой поверхности 0 и 81 . .
2.3.2 Калибровка температуры образца.
2.3.3 Калибровка скорости напыления адсорбата
2.3.4 Приготовление СТМ игл
Выводы по главе.
3 Модифицирование режимов роста металлов на поверхности 80 формированием реконструкции с4хА1
Введение
3.1 Система п80с4хА1.
3.2 Система СиЗ0с4хА1.
3.3 Система Аи80с4хА1.
3.4 Система Сос4хА1 .
Выводы по главе.
4 Модифицирование режимов роста металлов па поверхности 1 формированием реконструкции 15,x5,Си
Введение.
4.1 Нанопроволоки меди на 815,x5,Си .
4.2 Рост пленки золота на б,x5,Си
4.3 Формирование ограненных островков силицида Со на поверхностной фазе 5, х5,Си.
Выводы но главе.
5 Модифицирование доменной структуры поверхностной реконструкции
З1а5 х 3Аи
Введение.
5.1 Система 1па3 х 3Аи
5.2 Система МауЪ х 3Аи
Выводы по главе
Общие выводы
Введение
Актуальность
- Киев+380960830922