Вы здесь

Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников

Автор: 
Барыгин Илья Алексеевич
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
2009
Количество страниц: 
126
Артикул:
140846
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

Оглавление
1 Обзор литературы
1.1 Общие свойства ВТСП.
1.1.1 Кристаллическая структура
1.1.2 Фазовая диаграмма
1.1.3 Сверхпроводящие свойства
1.2 Теории сверхпроводимости.
1.2.1 Теория БКШ
1.2.2 Спинфлуктуационная сверхпроводимость
1.2.3 Другие модели.
1.3 Сминусцентры.
1.3.1 Введение
1.3.2 Механизмы возникновения
1.3.3 Влияние на концентрацию носителей.
1.3.4 Сверхпроводимость с локальными парами
1.4 Псевдощелевые особенности
1.4.1 Псевдощелевые особенности введение
1.4.2
1.4.3 Туннельная спектроскопия.
1.4.4 Проводимость.
1.4.5 Другие проявления
1.5 Теории псевдощели
1.5.1 Флуктуации ближнего порядка
1.5.2 V
1.5.3 Циркулирующие токи.
1.5.4 Волны плотности.
1.5.5 Кроссовер ВКШБЭК
1.5.6 Модель узкой зоны
1.6 Модель минусцентров, статистически взаимодействующих с валентной зоной.
1.7 Постановка задачи
2 Модель с двумя уровнями
2.1 Постановка задачи
2.2 Низкотемпературный предел
2.3 Высокотемпературный предел.
2.4 Результаты.
2.5 Удельное сопротивление
2.6 Выводы к главе 2.
3 Модель с квадратичным законом дисперсии
3.1 Уравнение нейтральности
3.2 Низкотемпературный предел
3.2.1 Полупроводниковый случай.
3.2.2 Металлический случай.
3.3 Высоко температурный предел
3.4 Результаты.
3.5 Выводы к главе 3.
4 Сопоставление с экспериментальными данными
4.1 Коэффициент Холла .
4.2 Ьа2г1Си.
4.3 УВа2Си3.
4.4 Анализ полученных результатов
4.5 Критическая температура.
4.6 Выводы к главе 4
Введение
Актуальность