- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2004
Артикул:
7443 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами
- Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx
- Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
- Применение лазерной обработки в технологии изготовления солнечных элементов
- Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
- Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации