- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2004
Артикул:
7443 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия
- Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
- Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
- Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия
- Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
- Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
- Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе