- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7443 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизика пористого кремния и структур на его основе
- Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
- Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
- Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
- Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях
- Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах
- Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий
- Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод