Ви є тут

Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией

Автор: 

Левичев Сергей Борисович

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2004

Артикул:

7443

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
• Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
• Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
• Поля дефектов и форма резонансных линий
• Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
• Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
• Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
• Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
• Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом
• Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе