- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7443 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
- Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами
- Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Математические модели процессов, протекающих на границе полупроводник - газ и межфазных границах структуры металлическая плёнка - полупроводник, помещённой в активный газ
- Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
- Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
- Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
- Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
- Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии