ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I Обзор литературы
1.1. Электрические и гальваномагнитные евойотва
02с х0фЗ
1.2. Спектры фоточувствительности .
1.3. Исследование механизмов рекомбинации
неравновесных носителей заряда в
I.3.I Межзонная рекомбинация .
1.3.2 Рекомбинация через локальные центры
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
ГЛАВА П. Методика измерений
2.1. Общая характеристика исследованных
образцов
2.2. Контакты к
2.3. Измерение коэффициента Холла и проводимость
2.4. Измерение спектров фотопроводимости . .
2.5. Измерение релаксации фотопроводимости .
2.6. Измерение спектров шума .
2.7. Погрешности измерений .
2.8. Связь фотопроводимости с данными
эксперимента
2.8.1. Учет эффекта вытягивания неосновных
носителей заряда .
ГЛАВА Ш. Электрические и фотоэлектрические свойства
исследованных кристаллов .
3.1. Электрические свойства
3.1.I. Оценка степени компенсации .
3.2. Спектры фоточувствительности .
3.2.1. Область собственного поглощения .
3.2.2. Область принесного поглощения .
3.2.3. Изменение параметров образцов во
времени . .
3.3. Релаксация фотопроводимости
З.З.. Температурная зависимость времени релаксации ФП в компенсированных
кристаллах
3.3.2. Температурная зависимость времени релаксации ФП в кристаллах с низкой степенью компенсации
ГЛАВА У. Фотопроводимость и рекомбинация неравновесных носителей заряда в x м1х Те
0.2 с х 0.3.
4.1. Основные уравнения рекомбинационной модели, включющей 2 рекомбинационных уровня.
4.2. Излучательная рекомбинация .
4.3. Межзонная ожерекомбинация .
4.4. Время релаксации в случае межзонной
рекомбинации
4.5. Время релаксации при рекомбинации
через локальные центры
4.5.1. Случай кристаллов 7типа.
4.5.2. Случай кристаллов ртипа .
4.6. Кинетика неравновесных носителей заряда при рекомбинации через локальные центры
4.7. Релаксация ФП в случае сильного
уровня возбуждения .
4.8. Межзонная рекомбинация i
4.8.1. Случай кристаллов 7типа
4.8.2. Случай кристаллов ртипа .
4.9. Рекомбинация через локальные центры XI
4.9.1. Случай кристаллов Птипа
4.9.2. Случай кристаллов ртипа. П
4 Совместный анализ температурной зависимости времени релаксации П и генерационнорекомбинационного
4.II. Релаксация ФП при низких температурах .
4 Электрические и фотоэлектрические свойства дырочных кристаллов КРТ вблизи гелиевых температур
4.ХЗ. Сравнительный анализ результатов,
полученных различными авторами . .
4.Х4. Центры рекомбинации в КРТ .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ . .
ЛИТЕРАТУРА