- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1983
Артикул:
452775 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки
- К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах
- Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
- Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
- Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
- Неупругое туннелирование куперовских пар с участием фононов в с- направлении в одиночных и стопочных контактах на микротрещине в Bi-Sr-Ca-Cu-O
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5