- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1983
Артикул:
452775 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
- Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
- Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
- Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
- Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа
- Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
- Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.