- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1983
Артикул:
452775 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
- Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
- Математические модели процессов, протекающих на границе полупроводник - газ и межфазных границах структуры металлическая плёнка - полупроводник, помещённой в активный газ
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
- Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений
- Спиновая динамика связанной электронно-ядерной системы в квантовых точках
- Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками