- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
Тип работы:
Кандидатская
Год:
1983
Артикул:
452775 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Изменения оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников системы мышьяк-селен, стимулированные внешними воздействиями
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
- Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
- Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
- Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников
- Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
- Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе