- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340769 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур
- Исследование и разработка универсальных методов тестирования IP блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер
- Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов
- Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей
- Электрооптические свойства жидкокристаллических ячеек с повышенной крутизной вольт-контрастной характеристики
- Разработка методов проектирования элементов МОЭМС, изготавливаемых по технологии поверхностной микрообработки
- Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур
- Спиновые и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
- Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов
- Исследование влияния конструкции и электрофизических параметров р-п-р-п структур на переходные процессы в быстродействующих тиристорах