- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340769 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физико-технологические основы создания функциональных элементов наноэлектроники на основе квазиодномерных проводников
- Разработка технологических основ изготовления и исследование характеристик автоэмиссионных наноструктур на основе пленок графена на карбиде кремния
- Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов быстродействующих многофункциональных интегральных схем
- Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
- Нанометровые высоковольтные предохранители для экспериментальной физики
- Исследования и разработка гибридных интегральных микросхем для малошумящих входных устройств и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона
- Моделирование электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами
- Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера
- Тонкопленочные структуры молибден-медь с эффектом близости и сверхпроводниковым переходом для сверхчувствительных субмиллиметровых болометров
- Диагностика источников электронов по двумерным изображениям