- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340769 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок
- Разработка технологии изготовления и исследование характеристик сенсоров диоксида азота и хлора на основе пленок полиакрилонитрила
- Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи
- Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
- Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
- Модернизация архитектуры системы на кристалле для снижения энергопотребления в декодерах потоковых видеоданных
- Численное исследование коллективных процессов в микроэлектронных структурах и оптимизация приборов больших интегральных схем
- Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур
- Исследование и разработка микросхем для компенсации температурной нестабильности выходной частоты кварцевых генераторов
- Диффузионно-дрейфовая модель графенового полевого транзистора для использования в системах автоматизированного проектирования