Ви є тут

Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2

Автор: 

Малявка Лариса Васильевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000221545

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
• Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
• Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
• Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
• Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
• Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
• Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах