Ви є тут

Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Автор: 

Вагапова Наргиза Тухтамышевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005478314

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Синтез, структура и свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3
• Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
• Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников
• Защитные тонкопленочные покрытия на основе нитридов элементов III и IV групп периодической системы : Получение, свойства и применение
• Разработка методов проектирования миниатюрных низковакуумных насосов для оборудования электронной техники
• Синтез и физико-химические свойства кристаллических материалов для сенсорных устройств в системе Li2MoO4 - Li2WO4
• Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки
• Разработка физических принципов и создание оборудования для модификации магнитных состояний тонкопленочных слоев магнитных носителей информации
• Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния
• Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства