СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ СРЕДСТВ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ И ИХ ВОЗМОЖНОСТИ ПО
УЧЕТУ КОСМИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.
1.1. ВИДЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА И РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МИКРОСХЕМАХ
1.2. Анализ состояния средств автоматизации проектирования
МИКРОЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ
1.3. Проблемы моделирования воздействия космического
ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТНУЮ БАЗУ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
2. МЕТОДИКА, СТРУКТУРА ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ И ОБОСНОВАНИЕ ТИПОВЫХ БАЗОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО
ПРОСТРАНСТВА В САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ
МИКРОСХЕМ.
2.1. Методика автоматизированного проектирования
МИКРОЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ СТОЙКОЙ К ВОЗДЕЙСТВИЮ КОСМИЧЕСКОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ.
2.2 Структура проблемноориентированного программного ОБЕСПЕЧЕНИЯ.
2.3. Определение базовых критериальных элементов и
ИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ.
2.4. Расчет дозы при воздействии факторов
КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНС ТВА
Выводы.
3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В КМОПИЗДЕЛИЯХ В
САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ.
3.1. Общая методология моделирования радиационноиндуцированного накопления заряда в диэлектрике
МОПТРАНЗИСТОРА С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ПОЛЕВОЮ ОКСИДА.
3.2. Моделирование накопления заряда в подзагвор юм
ДИЭЛЕКТРИКЕ ТРАНЗИСТОРА.
3.3. Моделирование накопления заряда в диэлектрике паразитного
транзистора, ОБРАЗОВАННОГО НОЛЕВЫМ ОКСИДОМ НА ПЕРИФЕРИИ
ОС В1ЮГО КАНАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА
3.4. Моделирование статических видов радиации на
СХЕМОТЕХНИЧЕСКОМ И ФУНКЦИОНАЛЬНОЛОГИЧЕСКОМ УРОВНЯХ
4. ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ, ИНТЕГРАЦИИ В САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАЗРАБОТАННЫХ СРЕДСТВ.
4.1. Структура, особенности построения разработанных средств и их интеграция в САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМ.
4.2. Оценка точности и эффективности разработанных средств
4.3. Методическое обеспечение и результаты внедрения.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922