ОГЛАВЛЕНИЕ
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОЬОЗНАЧЕ ИЙ И СОСРАЩЕИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. ТОНКИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ И СТРУКТУРЫ НА
ИХ ОСНОВЕ
1.1. Свойства тонких сегнетоэлектрнческих пленок
1.2. Технология и свойства многослоПных структур с
сегнетоэлектрическими пленками
Выводы и постановка задач работы
2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ТОИКОПЛЕЮЧНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУР
2.1. Выбор материалов для тонкопленочных структур с
сегнетоэлектрическими слоями
2.2. Формирование электродов для структур с пленками ЦТС
2.3. Технология тонких иолнкристалличсских пленок ЦТС
2.4. Методы исследования тонких пленок и структур на их основе
3. ВЛИЯНИЕ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА НА СВОЙСТВА СТРУКТУР С СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ Л ЕМКА МИ
3.1. Интерфейсные границы раздела в многослойных структурах с пленками ЦТС
3.2. Межзереипая граница раздела. Механизм старения
3.3. Механизм токоперепоса в конденсаторных структурах с пленками
3.4. Вклад границ раздела в формирование самополяризованного состояния пленок ЦТС
4. ВЛИЯНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА
СТРУКТУР С СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ЦТС
4.1. Влияние УФ излучения на свойства конденсаторных структур
4.2. Влияние оптического излучения на свойства структур с пленками
ЦТС с избытком свинца
4.3. Воздействие оптического излучения на свойства структур с пленками
4.4. Запись и гашение остаточной фотопроводимости в тонкопленочных структурах сегнетоэлектрикполупроводиик
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА