Высокочастотные электронные процессы в полупроводниковых классических сверхрешетках

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. НЕЛИНЕЙНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА КЛАССИЧЕСКИХ СВЕРХРЕШЕТОК .
1.1. Введение.
1.2. Высокочастотная проводимость классических сверхрешеток с периодом, МЕНЬШИМ ДЛИНЫ РЕЛАКСАЦИИ ЭНЕРГИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
1.2.1. Разогревная нелинейность высокочастотной проводимости классических СР
1.2.2. Резонансные свойства структур с концентрационными неоднородностями
в высокочастотных полях ,,
1.3. Нелинейные свойства контакта металлпериодическая полупроводниковая структура
1.4. Использование нелинейных и анизотропных свойств класических СР в функциональных устройствах СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ .
1.4.1. Использование СР в качестве детекторов СВЧ излучения с расширенным динамическим диапазоном
1.4.2. Использование СР в качестве линии передачи
1.5. Выводы.
2. ВЛИЯНИЕ ФЛУКТУАЦИЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСЕЙ НА КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ ,
2.1. Введение.
2.2. Влияние флуктуаций концентрации примеси на активационную проницаемость потенциального барьера.
2.2.1. Качественное рассмотрение
2.2.2. Расчет средней проводимости
2.3. Влияние флуктуаций концентрации примеси на туннельную прозрачность потенциального барьера
2.3.1. Качественное рассмотрение
2.3.2. Расчет средней проводимости
2.4. ВЛИЯНИИ ФЛУКТУАЦИЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ НА ПРОВОДИМОСТЬ ОБРАТНО
СМЕЩЕННОГО РПЕРЕХОДА
2.4.1. Введение.
2.4.2. Качественное рассмотрение
2.5. Обсуждение результатов и выводы
3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КЛАССИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК В ВИДИМОМ И ИК
ДИАПАЗОНЕ 6,,1.
3.1. Введение.
3.2. Исследование края собственного поглощения классических сверхрешеток ,
3.3. Фотопроводимость классических сверхрешеток при внутризонном поглощении света
3.3.1. Фотопроводимость классических сверхрешеток основе кремния при внутризонном поглощении света .
3.3.2. Внутризонная фотопроводимость классических сверхрешеток на основе р
3.4. Выводы.
4. ОПТИЧЕСКОЕ УПРАВЛЕНИЕ КРАЕМ ЗОНЫ НЕПРОПУСКАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БРЭГГОВСКИХ
СВЕРХРЕШЕТОК 1
4.1. Введение
4.2. Методика расчета характеристик распространения оптического
излучения в БСР
4.3. Оптическое управление краем зоны непропускания в БСР
4.4. Динамика оптической перестройки фотонной запрещенной зоны брэгговских сверхрешегок.
4.5. Исследование путей создания логических элементов на основе брэгговских сверхрешеток с оптическим управлением
4.6. Выводы
5. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ
ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЮ2Ю7
5.1. Введение.
5.2. Особенности использованного оборудования.
5.2.1. Вакуумная установка
5.2.2. Химический состав атмосферы камеры испарителей при технологических процессах.
5.2.3. Исследование конструкции сублимационного испарителя 5
5.3. Использованные методы исследований
5.3.1. Методика количественной Ожеспектроскопии
5.3.2. Сопоставление результатов Ожеспектроскопии с данными рентгеновской спектроскопии.
5.4. Методика УФозоновой очистки поверхности полупроводников и процессы сегрегации углерода на поверхности кремния.
5.5. Исследование процесса раскисления поверхности кремния в высоком вакууме в потоке атомов кремния.
9 5.6. Испарение оксида вора и его восстановление при легировании бором
ПЛЕНОК КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ МОЛЕКУЛЯРНОЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ.
5.7. Выводы
6. ПОЛЕВЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КЛАССИЧЕСКИХ СВЕРХРЕШЕТКАХ И ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 61
ф 6.1. Введение
6.2. ВОЛЬТЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КЛАССИЧЕСКИХ ГОМОГЕННЫХ СВЕРХРЕШЕТОК с выпрямляющим КОНТАКТОМ.
6.3. ВАРАКТОР НА ОСНОВЕ КЛАССИЧЕСКОЙ СВЕРХРЕШЕТКИ С БОЛЬШИМ ПЕРЕКРЫТИЕМ ПО ЕМКОСТИ
6.4. Влияние глубоких уровней на полевые эффекты в сверхрешетках
6.5. Высокочастотный импеданс диодов Шоттки с гетеропереходом
6.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ПРИЛОЖЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность