Ви є тут

Разработка и исследование радиационного метода контроля на основе полупроводникового преобразователя жесткого тормозного излучения

Автор: 
Рубинович Илья Матвеевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1983
Кількість сторінок: 
236
Артикул:
246546
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. МЕТОДЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЖСТКОГО ТОРМОЗНОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРИМЕНЯЕМЫЕ В ИНТРОСКОПИИ.
1.1. Краткий обзор развития методов и средств
визуализации изображений II
1.2. Люминесцентные преобразователи .
1.2.1. Флюороскопические экраны
1.2.2. Сцинтилляционные кристаллы
1.3. Преобразователи, использующие явление
внутреннего фотоэффекта .
1.3.1. Рентгенвидикон .
1.3.2. Преобразователи с косвенной модуляцией
1.3.3. Мозаичные полупроводниковые преобразователи
1.3.4. Преобразователи на основе комбинированных детекторов
1.4. Сравнение чувствительности интроскопических
систем.
Выводы к главе I.
ГЛАВА 2. РЕГИСТРАЦИЯ ЖСТКОГО Т0РШЗН0Г0 ИЗЛУЧЕНИЯ
ПЛОСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ ИЗ КРЕШИЯ.
2.1. Моделирование переноса быстрых заряженных
частиц.
2.2. Взаимодействие моноэнергетического гаммаизлучения
с плоским преобразователем из кремния .
2.3. Моделирование переноса гаммаквантов через
вещество.
2.3.1. Спектры жесткого тормозного излучения
по поглотителями из стеши .
2.3.2. Энергетические факторы накопления для рентгеновского излучения .
2.4. Взаимодействие жесткого тормозного излучения,
прошедшего поглотитель, с преобразователем
из кремния.
Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
С ПОМОЩЬЮ УСИЛИВАЮЩИХ ЭКРАНОВ.
3.1. Влияние передних усиливающих экранов
на регистрацию моноэнергетического
гаммаизлучения.
3.2. Регистрация жесткого тормозного излучения
преобразователем с передними и задними
усиливающими экранами
3.3. Боковые усиливающие экраны в мозаичном
полупроводниковом преобразователе .
3.4. Взаимное влияние детекторов и конструкция
мозаичного преобразователя жесткого
тормозного издучения
3.5. Апертурные характеристики детекторов .
Выводы к главе 3.
ГЛАВА 4. АНАЛИЗ РАБОТЫ ДЕТЕКТОРОВ И РАВНЕНИЕ
С ЭКСПЕРИМЕНТАМИ.
4.1, Эквивалентные схемы ВДЩМ и ВДПструктур
с постоянным смещением.
4.2. Импульсные и переходные характеристики
детектора излучения на основе ЦЦПструктуры
с постоянным смещением.
4.3. Эквивалентная схема ВДЩМструктуры
с ВЧ смещением
4.4. Коэффициент усиления ЦЦПДМструктуры
с ВЧ смещением .
4.5. Экспериментальные подтверждения полученных
результатов и практические рекомендации .
Выводы к главе 4 .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА