Введение. Общая характеристика работы
Диссертация направлена на решение научнотехнической задачи прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах кремнийнасапфире при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными уровнями до 3едс, имеющей существенное значение для создания новых и совершенствования существующих радиационностойких элементов и устройств систем управления военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.
Актуальность
- Київ+380960830922