Ви є тут

Разработка и исследование технологии формирования наноструктур на основе нитридов элементов III группы

Автор: 
Царик Константин Анатольевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
158
Артикул:
232991
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. Обзор литературы, посвященной материалам ШЫ.
1.1. Перспективность технологии на нитриде галлия.
1.2. Подложки для эпитаксии ваИ
1.2.1. Кристаллы, которые могут быть использованы в качестве подложек для эпитаксии СаИ.
1.2.2. Сапфир
1.2.3. Карбид кремния
1.2.4. Кремний.
1.3. Шнитридные структуры основные методы и приборы
1.3.1. Основные методы.
1.3.2. Метод МЛЭ.
1.3.3. Структуры и приборы на основе неполярного ОаИ.
1.3.4. Приборы на основе полярных нитридгаллиееых полупроводников .
1.4. Конструкции транзисторов с высокой подвижностью электронов НЕМТ на гетероструктурах
1.4.1. Зонная диаграмма гетеропереходов.
1.4.2. Структуры транзисторов.
1.5. Методы наноразмерной литографии для технологии создания устройств электроники
Глава 2. Разработка приборнометрологического базиса. Оборудование и методики эксперимента.
2.1. НТК Нанофаб0. Назначение и возможности.
2.2. Состав
2.3. Исходные материалы
2.4. Перечень и содержание методик проведения экспериментов
2.4.1. Метод молекулярнолучевой эпитаксии.
2.4.2. Метод лазерной интерферометрии
2.4.3. Метод сканирующей зондовой микроскопии
2.4.4. Метод ФИП.
2.5. Разработка устройства позиционирования с компенсацией термического
дрейфа образца в системе с ионным или электронным источником
Выводы по главе 2Ошибка Закладка не определена.
Глава 3. Разработка методики эпитаксиального выращивания нитридных гетероструктур с образованием двумерного элетронного газа
3.1. Технология эпитаксиального роста гетероструктуры
3.2. Исследование методики формирования буферного слоя 1.
3.3. Особенности канального слоя гетероструктуры беспримесного нитрида галлия.
3.4. Формирование барьерного слоя и его влияние на двумерный электронный газ
3.5. Создание НЕМТ транзистора на базе разработанных гетероструктр
Выводы но главе 3.
Глава 4. Закономерности формирования полупроводниковых наноструктур с помощью фокусированного ионного пучка.
4.1. Разработка методики формирования наноструктур методом ФИП
4.2. Создание наноструктур для электромеханических систем.
4.2.1. Полировки поверхности эпитаксиальной структуры.
4.2.2. Создание металлических наноструктур на поверхности нитридной пленки
4.2.3. Создание штампа для наноимпринтлитографии
Выводы ио главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ