Ви є тут

Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов

Автор: 
Ткачев Александр Юрьевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
159
Артикул:
232981
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ И ПРОЕКТИРОВАНИЯ СОВРЕМЕННЫХ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
1.1. Конструкции мощных МОП транзисторов
1.2. Электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ ЬОМОБ транзисторов
1.3. Методология современного подхода к проектированию полупроводниковых приборов с использованием приборнотехнологических САПР.
1.4. Моделирование технологических операций создания МОП транзисторов
1.5. Моделирование физических процессов в мощных МОП транзисторах
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК И КОМПЛЕКТА ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДЛЯ КОМПЛЕКСНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ СВЧ ЬИМОБ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР В СРЕДЕ САПР 1БЕ ТСАО.
2.1. Разработка методик моделирования транзисторных структур с учетом специфики САПР 1БЕ ТСАО.
2.2. Создание структурных моделей ЬОМОБ транзисторных структур
2.3. Разработка технологических моделей транзисторных структур.
2.4. Разработка командных файлов для моделирования основных электрических параметров и электрофизических характеристик ЬОМОБ транзисторных структур
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ СВЧ ЫЭМОБ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР
3.1. Зависимость пробивного напряжения стока Цси роб от длины и
глубины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней, от толщины и удельного сопротивления эпитаксиального слоя
3.2. Зависимость сопротивления стокисток 1,, от глубины контактной диффузионной робласти истока, длины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней.
3.3. Влияние на проходную Срох и выходную Ссыхемкости транзисторной ЬОМОБ структуры длины и глубины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней, а также других конструктивных факторов.
3.4. Влияние заземленного полевого электрода над дрейфовой областью стока на сопротивление стокисток Кси и проходную емкость Спрох ЬЭМОБ транзисторных структур.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СТРУКТУРОЙ СУПЕРПЕРЕХОДА
4.1. Аналитический метод расчета пробивного напряжения стока исипроб ЬОМОЬ транзисторных структур с суперпереходом
4.2. Результаты моделирования в ГБЕ ТС АО пробивного
напряжения стока исипроб и сопротивления стокисток Кси ЫЭМОЬ транзисторной структуры с суперпереходом.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.
ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ РАЗРАБОТАННОГО КОМПЛЕКСА МЕТОДИК МОДЕЛИРОВАНИЯ И ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ЬОМОБ ТРАНЗИСТОРНЫХ КРИСТАЛЛОВ
5.1. Структурнотехнологическая методика моделирования ЫМ транзисторных структур
5.2. Разработка конструктивного исполнения периферийных участков стоковых областей ЬЭМОБ транзисторов с напряжением питания на уровне В
5.3. Методика проектирования мощных СВЧ ЬЭМОБ транзисторных кристаллов с использованием современных приборнотехнологических САПР.
5.4. Результаты экспериментальной проверки разработанной методики проектирования мощных СВЧ 1ЛМ транзисторных кристаллов
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ИС1ЮЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность