Ви є тут

Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием

Автор: 

Гейфман Евгений Моисеевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

349

Артикул:

1000262001

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование процессов формирования контактов и границы активного слоя с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик СВЧ полевых транзисторов
• Диагностика источников электронов по двумерным изображениям
• Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)
• Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур
• Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования
• Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами
• Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии
• Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов
• Физико-технологические основы создания функциональных элементов наноэлектроники на основе квазиодномерных проводников
• Разработка технологии КМОП ИС на структурах КНД