Ви є тут

Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием

Автор: 

Гейфман Евгений Моисеевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

349

Артикул:

1000262001

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследования и разработка гибридных интегральных микросхем для малошумящих входных устройств и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона
• Лазерное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O7- ? для применений в пассивных высокочастотных устройствах
• Фотолюминесцентный преобразователь в эффективных светодиодах белого цвета излучения
• Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои
• Разработка и исследование интегральных прецизионных стабилитронов с регулируемыми выходными характеристиками
• Мощные лазеры на свободных электронах : Вопросы теории и применений
• Исследование и разработка методов расширения рабочего диапазона и улучшения характеристик микромеханических датчиков угловой скорости
• Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна
• Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2SnOxAgOy
• Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов