ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИЙ СОЗДАНИЯ СОВРЕМЕННЫХ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ.
1.1. Особенности конструкций мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.
1.2. Электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.
1.3. Развитие МОП технологии и специфические особенности ВЧ
и СВЧ МОП технологии с двойной диффузией.
1.4. Влияние технологических процессов на стабильность и воспроизводимость электрических параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур..
1.5. Надежность мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ СТРУКТУРНЫХ СОСТАВЛЯЮЩИХ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР и МЕТОДИКИ ОЦЕНКИ ИХ КАЧЕСТВА
2.1. Метод создания подзатворного оксида кремния мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и оценка его качества
2.2. Метод формирования многослойной металлизации на основе золота мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с помощью плазменных обработок.
2.3. Методика оценки влияния плазменных обработок при формировании многослойной металлизации на основе золота мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и методы устранения деградации их параметров
2.4. Методы оценки качества и надежности мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, СПОСОБЫ ОЦЕНКИ И УСТРАНЕНИЯ ДЕГРАДАЦИИ
3.1. МОБ и ЦЭМОБтехнологии создания современных мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур.
3.2. Влияние качества границы раздела БГБЮг на стабильность зарядовых свойств мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур
3.3. Оценка качества подзатворного оксида кремния, полученного различными технологическими способами, с помощью экспрессконтроля.
3.4. Влияние плазменных обработок при формировании многослойной металлизации на основе золота на изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур
3.5. Способы устранения деградации статических параметров после плазменных обработок на этапе формирования металлизации и их корректировка.
3.6. Способ восстановления пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с помощью ультрафиолетового облучения.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.
ГЛАВА 4. ОЦЕНКА НАДЕЖНОСТИ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ И ЭФФЕКТИВНОСТИ ИХ РАБОТЫ.
4.1. Термополевое испытание и испытание на безотказность
мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов как инструмент оценки качества МОП транзисторных структур
4.2. Разброс пороговых напряжений МОП транзисторных структур негативный фактор для качественной работы мощных
балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922