Содержание
Введение
Глава 1. Исследование процессов роста пленок высокотемпературного сверхпроводника УВСО на сапфире
1.1. Введение
1.2. Структура и свойства тонких пленок УВСО
1.3. Подложки и подслои для эпитаксиального роста УВСО
1.4. Способы получения эпитаксиальных пленок УВСО и подслоев
1.5. Экспериментальная установка лазерного напыления
1.6. Методы измерения параметров тонких пленок
1.7. Исследование процесса роста подслоев окиси циркония на сапфире
1.8. Исследование процесса роста и свойств пленок УВСО на сапфире
с подслоем
1.9. Выводы
Глава 2. Исследование структуры и транспортных свойств УВСО пленок наномегровой толщины
2.1. Введение
2.2. Измерение толщины слоев УВСО
2.3. Орторомбическая структура в тонких и сверхтонких слоях УВСО
2.4. Транспортные свойства сверхтонких и тонких пленок УВСО
2.5. Выводы
Глава 3. Исследование влияния низкотемпературного отжига на структуру и свойства тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника УВСО
3.1. Введение
3.2. Содержание кислорода и свойства ВТСП
3.3. Низкотемпературный отжиг пленок УВСО
3.4. Выводы
Глава 4. Исследование нелинейных свойств пленок УВСО в резонансных системах
4.1. Введение
4.2. Нелинейные свойства ВТСГ генерация гармоник и интермодуляция
4.3. Измерение интермодуляции в резонаторе с одной связью
4.4. Экспериментальные исследования нелинейных свойств ВТСП пленок
4.5. Выводы.
Глава 5. Высокодобротный перестраиваемый ВЧ контур
5.1. Введение
5.2. Резонансные ВТСП устройства ВЧ и УКВ диапазона
5.3. Конструкция высокодобротного перестраиваемого контура и технология
изготовления ВТСП катушек индуктивности
5.4. Характеристики одиночных ВТСП катушек
5.5. Зависимость частоты контура от расстояния между катушками
5.6. Зависимость добротности перестраиваемого контура от частоты
5.7. Выводы
Заключение
Приложение к Главе 4. Расчет генерации комбинационной гармоники в цилиндрическом и диэлектрическом резонаторах
Список цитированной литературы
- Київ+380960830922