Вы здесь

Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации

Автор: 
Белов Алексей Иванович
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
2011
Количество страниц: 
150
Артикул:
232967
129 грн
(417 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Обзор литературы.
1.1. Кремний и карбид кремния как материалы оггго и наноэлектронных устройств
1.1.1. Источники света
1.1.2. Солнечные элементы.
1.1.3. Элементы памяти
1.1.4. Другие применения
1.2. Формирование и свойства нанокристаллов и нанокластеров в матрицах 8Ю2 и А
1.2.1. Ионносинтезированные нанокластеры и нанокристаллы
1.2.2. Нанокластеры и нанокристаллы , полученные методами осаждения
1.2.3. Механизмы фотолюминесценции нанокристаллов и нанокластеров
1.2.4. Модификация люминесцентных свойств нанокристаллов и ианокластеров путем легирования.
1.3. Формирование и свойства кренмийугл сродных и углеродных нанокластеров
1.3.1.Свойства объемного карбида кремния
1.3.2. Получение и свойства пористого С.
1.3.3. Кремнийуглеродные и углеродные нанокластеры.
1.4. Транспортные свойства носителей тока в диэлектриках с ианокластерами
1.5. Формулировка задач исследований
ГЛАВА 2. Закономерности иоинолучевого формирования и оптические свойства слоев А и 8Ю2 с нанокристаллами кремния
2.1. Методика эксперимента
2.2. Сравнительный анализ процессов формирования и свойств
нанокристаллов в аморфных пленках 8Ю2 и в матрице А сапфире и осажденных пленках
2.3. Оценка механических напряжений, действующих на нанокристаллы со стороны матрицы, и их роли в фотолюминесценции.
2.4. Влияние ионного легирования на люминесцентные свойства нанокристаллов 8 в А и 8Ю2
2.5. Влияние атмосферы отжига на люминесцентные свойства нанокристаллов 8 в А и 8Ю2
2.6. Выводы
ГЛАВА 3. Ионнолучевое формирование и модификация свойств светоизлучающих углеродосодержащих нанокластеров в матрице 8Ю2.
3.1. Методика эксперимента.
3.2. Слои, полученные путем совместной имплантации ионов Б и С в термические пленки ЭЮг.
3.3. Слои, полученные путем имплантации ионов С в осажденные пленки нестсхиометрического оксида 8Ох
3.4. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию слоев 8Ю2 с нанокластерами 8С и С
3.5. Выводы.
ГЛАВА 4. Электронный транспорт и электролюминесценция в диодных структурах на основе оксидных слоев с нанокластерами 8, 8С и С
4.1. Методика эксперимента
4.2. Исследование вольтамперных характеристик и электролюминесценции диодных структур
4.3. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
БЛАГОДАРНОСТИ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ