- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
340687 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Микроэлектронный и оптоэлектронный принципы построения полупроводникового преобразователя частоты сверхвысокочастотного диапазона
- Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений
- Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния
- Исследование функциональных характеристик сенсоров газов на основе газочувствительных материалов с рабочими температурами 20-200°C
- Моделирование электрических характеристик СВЧ-генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе
- Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния
- Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок
- Модовая структура и нелинейные эффекты в резонансных и нерезонансных фотонных кристаллах
- Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов
- Релаксация рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров V группы в кремнии при излучении фононов