Ви є тут

Разработка и применение физико-топологической модели мощного полевого транзистора с барьером Шоттки и моделей микрополосковых линий для проектирования монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия

Автор: 
Раков Юрий Николаевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2009
Кількість сторінок: 
289
Артикул:
232962
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Введение
Глава 1. Моделирование микрополосковых линий и элементов интегральных
схем СВЧ на их основе
1.1. Состояние вопроса
1.2. Моделирование одиночной микрополосковой линии
1.2.1. Модель МПЛ в квазисгатическом ТЕМ приближении
1.2.2. Учет потерь в МПЛ
1.2.3. Учет дисперсионных характеристик сдф и рф .
1.2.4. Использование модели отрезка одиночной МПЛ в программах анализа
и оптимизации линейных СВЧ схем ДИСА1Р2 и БАР .
1.3. Модель двухпроводной связанной микрополосковой линии
1.4. Модель направленного ответвителя Ланге с четным числом связанных
линий .
1.5. Выводы по Главе 1 .
Глава 2. Разработка аналитической модели СВЧ полевого транзистора
с барьером Шоггки на основе арсенида галлия .
2.1. Введение
2.2. Выбор малосигнальной электрической эквивалентной схемы ПТШ
2.3. Обзор физических моделей полевого СВЧ транзистора на основе ваАз.
2.3.1. Обзор результатов исследования физики работы ваАв ПТШ с помощью
математических моделей
2.3.2. Аналитические модели полевого транзистора с барьером Шоттки на
арсениде галлия .
2.4. Разработка аналитической модели ОаЛБ ПТШ
2.4.1. Режим работы ПТШ с управлением тока канала ОПЗ БШ ,
2.4.2. Субпороговый режим работы ПТШ
2.4.3. Режим работы ПТШ с прямым включением затвора
2.4.4. Учет в физикотопологической модели и эквивалентной схеме мощного
СВЧ ПТШ распределенных эффектов структуры
2.4.5. Паразитные межэлектродные емкости ПТШ
2.4.6. Паразитные емкости корпуса.
2.5. Разработка тестовых структур для измерения профилей легирования и дрейфовой подвижности носителей заряда в слабом электрическом иоле
2.6. Определение значений максимальной и насыщенной дрейфовых скоростей и критического электрического поля
2.7. Определение параметров полупроводниковой структуры с использованием результатов измерения ВАХ готового ПТШ.
2.8. Экспериментальная проверка расчета ВАХ по ФТМ в режиме прямого включения БШ на примере одноштыревого ПТШ
2.9. Моделирование мощного СВЧ ПТ1 на ваАз. Учет саморазогрева канала и влияния температуры окружающей среды
2.9.1. Определение температуры в канале ПТШ.
2.9.2. Температурные зависимости параметров ваАз и барьера Шоттки
2.9.3. Определение теплового сопротивления мощного ПТШ
2.9.4. Экспериментальная проверка результатов расчета ВАХ, зависимостей элементов СВЧ ЭС ПТШ от режима смещения и Бпараметров при прямом монтаже кристалла ПТШ
2.9.5. Предельные усилительные характеристики 0 мкм ПТП.
2.9.6. Сравнение результатов моделирования и измерения параметров ПТШ на структурах п п ваАв, выращенных по технологии МЛЭ
2 Температурные изменения параметров ОаАз ПТШ
2 Влияние субмикрон ной длины затвора на характеристики ОаАз ПТШ
2 Расчет характеристик ПТШ на нитриде галлия.
2 Выводы по Главе 2
Глава 3. Разработка ПТ на ОаАз и гетероструктурах АЬОаАзОаАз, АЬОаАзпОаАзОаАз
3.1. Постановка задачи.
3.2. Разработка мощного гетероструктурного ПТ
3.3. Разработка МЛЭ структуры аналогСАГМК.
3.4. Разработка мощного псевдоморфного ПТ.
3.5. Выводы по Главе 3
Заключение
Библиографический список используемой литературы
Приложение 1 Основы расчета характеристик ПТШ и усилителя на его основе,
заложенные в программу РОЬЕУМ.
Приложение 2. Разработка ме тода определения профилей легирования и подвижности структур ПТ со сверхтонкими слоями
Приложение 3. Определение параметров барьера Шоттки.
Приложение 4. Определение удельного сопротивления омического
контакта
Приложение 5. Разработка метода упрощенных тепловых эквивалентов для расчета теплового сопротивления транзистора и элементов ГИС и МИС СВЧ. 1 Приложение 6. Применение разработанных моделей пассивных элементов и физикотопологической модели ПТШ при разработке квазимонолитных усилителей мощности на арсениде галлия
Введение
Актуальность