Вы здесь

Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений

Автор: 
Поляков Вадим Витальевич
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
1995
Количество страниц: 
135
Артикул:
1000156716
129 грн
(417 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ИЗЛУЧЕНИИ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ДЯЯ АКТИВАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМ
1.1. Очистка поверхности полупроводниковых пластин ультрафиолетовым излучением
1.2.Фотостимулированное УФ излучением осаждение диэлектрических слоев.
1.3.Отжиг радиационных дефектов и диффузия примеси под действием оптической активации
1.4.Постановка задач диссертации.
2.ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ПРИ ОЧИСТКЕ ПОВЕРХНОСТИ И ОСАЖДЕНИИ ПЛЕНОК
2.1 .ФотовозСуждение и фотодиссоциация кислорода
2.2.Исследование влияния очистки поверхности подложки УФ излучением на адгезию алюминиевой металлизации и фоторезиста. 4
2.3.Фотовозбуждение и фотодиссоциация компонентов газовой смеси ТЭ0С
2.4.Термодинамический анализ реакций4
2.5.Моделирование газофазной кинетики.
2.6.Вывод ы.
3. ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРШШ В УСЛОВИЯХ ИК И УФ ОБРАБОТКИ ПРИ ОСАЖДЕНИИ3
3.1.Закономерности поглощения излучения поверхностью 5
3.2.Адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности кремния
3.3.Оценка эффективного потенциала адсорбции
3.4.Механизм диссоциации ТЭ0С в условиях излучения оптического диапазона
3.5.Оценка энергии активации диссоциации адсорбированных молекул ТЭОС на поверхности кремния
3.6.Выводы
4.ОТЖИГ РШОДИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ИК ДИАПАЗОНА
4.1.Возникновение поверхностного нагрева при импульсной термообработке совместным ИК и УФ излучениями
4.2.Модель отжига радиационных дефектов и диффузии примеси при ИТО совместным ИК и УФ излучениями.
4.3.Экспериментальное исследование отжига ионнолегированных слоев и диффузии примеси под воздействием ИТО совместно с УФ
излучением
4.4.Вывод ы.
5.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ
ПРОЦЕССОВ.
5.1.Оборудование для исследования влияния УФ и ИК излучений
5.1.1.Установка импульсной термообработки совместно с УФ излучением.
5.1.2.Установка фотохимического осаждения из газовой смеси ТЭ0С.
5.2.Исследование свойств и характеристик низкотемпературного диоксида кремния осажденного из смеси ТЭОСкислород
5.3.Влияние УФ излучения на параметры МДПструктур и транзисторов. т
5.4.Исследование газовых сенсоров на основе двухслойных термических оксидных пленок
5.5.Вывод ы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ