Вы здесь

Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием

Автор: 

Гейфман Евгений Моисеевич

Тип работы: 

докторская

Год: 

2000

Количество страниц: 

349

Артикул:

1000262001

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Электрофизическое диагностирование МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами
• Исследование и разработка методов и средств проектирования микросистем высокой надежности
• Получение и исследование тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе
• Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов
• Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками
• Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким ε, полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
• Методы оптимизации энергопотребления в микроэлектронных системах
• Термически- и радиационно-стойкие контакты металл-карбид кремния для приборов экстремальной электроники
• Моделирование и проектирование монолитных интегральных схем малошумящих усилителей диапазона крайне высоких частот
• Планарные микрооптические градиентные структуры на основе стекол