Ви є тут

Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои

Автор: 
Мерданов Мердан Казимагомедович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2009
Кількість сторінок: 
147
Артикул:
233057
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
1. Анализ современного состояния исследований в области технологий контроля параметров диэлектрических и проводящих материалов на СВЧ.
1.1. Измерение электрофизических параметров материалов волноводными методами.
1.2. Измерение параметров полупроводников мостовыми методами
1.3. Измерение параметров полупроводников резонаторными методами
1.4. Измерение параметров материалов методом волноводнодиэлектрического резонанса
1.5. Измерение параметров материалов и структур автодинными методами
1.6. Измерение параметров материалов с использованием синхронизированных генераторов
1.7. Ближнеполевая СВЧмикроскопия свойств материалов.
1.8. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металлполупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения.
2. Математическая модель и результаты компьютерного моделирования взаимодействия электромагнитного излучения СВЧдиапазона с одномерными волноводными фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои
2.1. Взаимодействие СВЧизлучения с многослойными структурами с плоскостями слоев, перпендикулярных направлению распространения излучения.
2.1.1. Математическая модель.
2.1.2. Результаты компьютерного моделирования спектров отражения волноводных фотонных структур в различных диапазонах частот.
2.1.3. Результаты компьютерного моделирования зависимости спектров отражения волноводных фотонных структур от положения нарушения периодичности в структуре фотонного кристалла.
2.1.4. Результаты компьютерного моделирования зависимости спектров отражения волноводных фотонных структур от параметров нарушения
2.1.5. Результаты компьютерного моделирования спектров отражения волноводных фотонных структур, содержащих проводящие слои.
3. Теоретическое обоснование метода измерения параметров
материалов на СВЧ с использованием одномерных волноводных
фотонных структур
3.1. Измерение диэлектрической проницаемости диэлектрических материалов
3.2. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости материалов с потерями.
3.3. Измерение толщин нанометровых металлических пленок на диэлектрических или полупроводниковых подложках.
4. Результаты экспериментального исследования взаимодействия СВЧ
излучения с одномерными волноводными фотонными стру1стурами и
результаты измерения парамеров материалов на СВЧ с использованием волноводных фотонных структур
4.1. Результаты экспериментального исследования спектров отражения и прохождения волноводных фотонных кристаллов
4.2. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на полупроводниковых и диэлектрических подложках.
4.2.1. Экспериментальное исследование частотных зависимостей коэффициента отражения фотонных структур, содержащих нанометровые металлические слои.
4.2.2. Измерение электропроводности металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки
4.2.3. Измерение толщин металлических пленок, нанесенных на полупроводниковые подложки
4.2.4. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металлполупроводник.
4.3. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров диэлектрических материалов
4.3.1. Экспериментальное исследование частотных зависимостей коэффициента отражения фотонных структур, содержащих неоднородности в виде диэлектрических слов.
4.3.2. Измерение диэлектрической проницаемости материалов с низкими потерями.
4.3.3. Измерение действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости материалов с потерями
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ