2
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Введение 5
ГЛАВА 1. Обзор литературы 18
1.1. Введение ........................................................ 18
1.2. Сверхпроводимость и квантовые когерентные явления в сверхпроводниках ......................................................19
1.3. Эффекты Джозефсона и джозефсоиовские контакты.....................21
1.3.1. Туннельный джозефсоновский контакт...........................24
1.3.2. Резистивно-шунтированная модель джозефсоновского контакта (RCSJ)...............................................................26
1.3.3. Температурная зависимость критического тока в SIS и SNS джо-зефсоновских контактах...............................................30
1.4. Джозефсоновский контакт в магнитном поле..........................31
1.5. Эффект близости на SN и SF-границах раздела.......................35
1.5.1. Джозефсоновский SFS 7г-контакт..................................42
1.5.2. Джозефсоновский SIFS контакт . . . 46
1.6. Экспериментальное наблюдение 0-7г-перехода........................49
1.7. Преимущества SIFS джозефсоновских контактов.......................54
1.8. RSFQ-логика, комплементарная ячейка, SFQ-тригер........ . . . 56
ГЛАВА 2. Технологические и экспериментальные методы 70
2.1. Введение .........................................................70
2.2. Установки магнетронного напыления многослойных тонкопленочных структур, используемые при изготовлении джозефсоновских контактов...........................................................71
з
2.3. Технологии изготовления многослойных тонкопленочных структур для Ni-SIFS джозефсоновских контактов и для PdFe-SFS и SIFS джозефсоновских контактов......................................75
2.4. Формирование туннельного слоя Л120з.....................т . . . 78
2.5. Установка фотолитографии MJB-4 и фоторезист AZ5214E..............81
2.6. Установка реактивного плазмохимического травления тонких пленок (RIE)......................................................84
2.7. Установка анодирования...........................................87
2.8. Технология изготовления туннельных джозефсоновских контактов методом мультиплицирования ....................................91
2.9. Технология изготовления Аг-SIFS джозефсоновских контактов с клином но толщине F-слоя методом мультиплицирования............96
2.10. Установка термического напыления тонких пленок (TES)............99
2.11. Технология изготовления PdFe-SFS джозефсоновских контактов . 102
2.12. SQUID-измерения PdFe-SFS JJs...................................105
2.13. Технология изготовления джозефсоновских контактов PdFe-SIFS . 107
2.14. Методика транспортных dc-измерений PdFe-SIFS джозефсоновских контактов................................................109
2.15. dc-измерения Ni-SIFS джозефсоновских контактов и Нл система . 113
ГЛАВА 3. SIFS джозефсоновские контакты с сильным ферромагнетиком 116
3.1. Введение .......................................................116
3.2. Особенности изготовления джозефсоновских контактов Nb/AhOt/Cu/Ni/Nb..............................................119
3.3. Транспортные измерения на Ni-SIFS джозефсоновских контактах . 120
3.4. Обсуждение экспериментальных результатов........................123
3.5. Заключение по результатам третьей главы.........................133
ГЛАВА 4. Магнитные переключатели на основе джозефсоновских переходов с магнитомягкой прослойкой 135
4
4.1. Введение .......................................................135
4.2. Характеризация слабого ферромагнитного сплава PdFe..............137
4.3. Особенности изготовления и измерения SFS JJs....................140
4.4. Экспериментальные результаты и влияние магнитной анизотропии
на характеристики PdFe-SFS контактов ............................141
4.5. Влияние уменьшения размера PdFe-SFS контактов на транспортные характеристики. Джозефсоновская магнитометрия................145
4.6. Магнитные переключатели на основе SFS контактов ................148
4.7. Заключение гю результатам четвертой главы.......................149
ГЛАВА 5. Джозефсоновские SIFS-контакты с высокими критическими напряжениями и переключатели на их основе 152
5.1. Введение .......................................................152
5.2. Особенности изготовления образцов PdFe-SWS контактов............154
5.3. Транспортные измерения и характеристики PdFe-SIPS контактов . 156
5.4. Переключатели SIFS на основе PdFe-MJJs..........................160
5.5. Аппроксимация экспериментальных данных..........................167
5.6. Устойчивость во времени логических состояний PdFe-SIFS контактов . . 169
5.7. Заключение по результатам пятой главы...........................171
Заключение 172
Литература............................................................174
Приложение-CD диск 182
¥
5
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность н проблематика диссертационной работы
Современная полупроводниковая микроэлектроника, в основе которой лежит К-МОП-логи ка1 (CMOS), двигается по пути усложнения интегральных схем и повышения плотности активных и пассивных элементов на чипе. Это неизбежно ведет к увеличению тепловыделения в рабочих режимах в связи с увеличением диссипации в высокоомных полупроводниковых структурах, что накладывает сильные ограничения на дальнейший рост производительности таких систем. Волее того, дальнейшая интеграция и использование старых "классических" принципов CMOS электроники затруднены уже потому, что реальное число "работающих" электронов в полупроводниковой наноструктуре резко уменьшается, начинают проявляться квантовые эффекты, мешающие традиционным классическим. Возрастает и стоимость изготовления элементов. Известный "второй закон Мура" введённый в 1998 г. Юджином Мейераном, гласит, что стоимость фабрик по производству микросхем экспоненциально возрастает с усложнением производимых микросхем. Так, стоимость фабрики, на которой корпорация Intel производила микросхемы динамической памяти ёмкостью 1 Кбит, составляла 4 млн. долларов, а оборудование по производству микропроцессора Pentium по 0,6-микрометровой технологии с 5,5 млн. транзисторов обошлось в 2 млрд. долларов. Стоимость же Fab32, завода по производству процессоров на базе 45-нм техпроцесса, составила 3 млрд. долларов. Еще один недостаток полупроводниковых логических наноструктур - невозможность дальнейшего существенного увеличения их быстродействия. Самый современный на сегодняшний день полупроводниковый процессор имеет тактовую частоту 8.373 ГГц (Процессор AMD FX-8120
1К-МОП: комплементарная логика на транзисторах метал л-оксид-полу п роводі і и к, англ. CMOS. Coniplcmcntary-symnictry/mctal-oxiclc sciuiconductor. Схемы КМОП в 1063 изобрёл Фрэнк Вонлас (Fiaitk Waiilass) из компании Faacluld Seinicoiiductor. первые микросхемы по технологии КМОП были созданы в 196S
б
(Bulldozer)). 10 ГГц - фактически, предел дли тактовой частоты полупроводниковой CMOS-электроники. Анализ перспектив развития современной микроэлектроники выявил острую необходимость поиска принципиально новых путей развития электроники будущего.
С точки зрения увеличения быстродействия и уменьшения тепловыделения наиболее привлекательной является сверхпроводниковая интегральная криоэлектроника [1] (или сверхпроводниковая микроэлектроника),'основанная на свойствах сверхпроводящих слабых связей (джозефсоновских контактов) и новых необычных характеристиках других низкоразмерных структур, свойства которых при низких температурах существенно изменяются. В низкоразмерных структурах начинают преобладать квантовые свойства, причем сверхпроводящие материалы, обладая длинномасштабной квантовой когерентностью, способны проявлять эти свойства в макроскопическом масштабе. Как следствие, объединение сверхпроводящих и несверхпроводящих материалов в гибридные структуры позволяет реализовать необычные квантовые эффекты, которые могут быть использованы в новой элементной базе, необходимой для формирования интегральных вычислительных криомикросхем нового поколения.
Наряду с тем, что такого рода электроника обладает рядом весомых преимуществ, в числе которых рекордное быстродействие, крайне низкое тепловыделение, сравнительно дешевое изготовление в рамках существующих микро- и нанотехнологий, существуют и некоторые недостатки. Одним из главных препятствий на пути развития сверхпроводниковой электроники, по-видимому, является "криофобия", т.е. страх перед проблемами, связанными с охлаждением структур до температур ниже точки сверхпроводящего перехода. Существует, однако, целый ряд аргументов в пользу развития криоэлектроники, кроме указанных выше. Во-первых, проблемы тепловыделения в полупроводниковой электронике уже сейчас заставляют существенно охлаждать наиболее прецизионные ее образцы. Кроме того, активно разраба-
7
тываемые "сухие" рефрижераторы замкнутого цикла уже примирили людей, боящихся жидкого гелия и азота, со сверхпроводящими детекторами, магнитометрами, эталонами Вольта и другими прецизионными устройствами на основе последних достижений физики сверхпроводимости и эффекта Джо-зефсона [2]. В последнее время также идет разработка "on-chip"-кулеров, предназначенных для охлаждения непосредственно отдельных чипов.
Разработкой цифровой сверхпроводниковой логики занимался еще в 70-х и 80-х годах XX века целый ряд лабораторий и коммерческих фирм. В то время в качестве одного из сверхпроводящих слоев в джозефсоновских контактах использовался свинец, металл, быстро деградирующий под воздействием окружающей среды, что делало прототипы логических устройств недолговечными. Но эта проблема была решена с внедрением полностью нио-биевых технологий (см. например [3]). После этого произошел резкий прорыв в разработке цифровых процессоров на сверхпроводящей элементной базе, особенно когда в 90-х годах прошлою века была предложена цифровая сверхпроводящая одноквантовая логика (RSFQ- Rapid Single Flux Quantum logic), которая основана на перемещении и хранении отдельных квантов магнитного потока Фо ~ 2 • 10 15 Вб. Логическое цифровое состояние в стандартной RSFQ-логике [4] определяется отсутствием (0) или наличием (1) в сверхпроводящем кольце с джозефсоновским контактом кванта магнитного потока. Основным базисным элементом сверхпроводящих RSFQ микросхем является SQUID (Superconducting Quantum Interference Device или сверхпроводящий квантовый интерферометр), который представляет собой сверхпроводящее кольцо (микронных размеров), способное квантовать магнитный поток, с двумя областями слабых связей - туннельными (SIS) джозефсоновским и контактами, необходимыми для входа и выхода кванта магнитного потока Фо- В настоящее время производители сверхпроводящей электроники (например, HYPRES Inc. (www.hypres.com)) изготавливают такую коммерческую продукцию как: первичные эталоны вольта, джозефсоновскме приемники для
8
радиоастрономии, SQUID-усилители, аналого-цифровые преобразователи и цифровые синтезаторы в L-полосе частот. Реализуемые ими устройства используют рефрижераторы замкнутого цикла и способны "оцифровывать" принимаемые сигналы СВЧ -диапазона (20-40 ГГц) непосредственно на приемной антене. Они имеют широкий динамический диапазон в полосе 2 МГц - 2 ГГц. Разработка "L-band" -полосных аналого-цифровых преобразователей и цифровых синтезаторов критически важна для реализации "все-цифровых" СВЧ-приемо-передатчиков, необходимых не только в телекоммуникациях, но и для многих других оборонных и коммерческих применений. Ряд российских научных групп принимает активное участие в "расшивании узких мест" на пути развития RSFQ-электроники, которые связаны с уменьшением размеров базисных RSFQ-ячеек и созданием быстрой "джозефсоновской" памяти.
Наряду с разработкой новых типов цифровой логики в настоящее время развивается принципиально новый метод организации вычислений на основе когерентной квантовой электроники. Когерентные квантовые устройства (сверхпроводящие кубиты) - основные элементы пока гипотетического квантового компьютера, т.е. компьютера, производящего вычисления на основе квантово-когерентных алгоритмов, которые позволяют решать проблемы, не решаемые классическими способами. Колоссальное увеличение объема информации, обрабатываемой таким компьютером, связано с использованием распараллеливания вычислений, естественного для квантово-механических алгоритмов. В настоящее время основная проблема связана с реализацией соответствующей наноструктурной физической системы для построения кубита. Субмикронная джозефсоновская электроника является наиболее естественной физической средой для создания квантового компьютера, поскольку длинномасштабная квантовая когерентность, демонстрируемая сверхпроводниками, позволяет рассчитывать на сохранение квантовой когерентности в течении много большего времени, нежели необходимо для совершения элементарной операции.
9
В связи с важной ролью джозсфсоновских контактов в сверхпроводящей микроэлектронике множество лабораторий занимается исследованиями их электронно-транспортных характеристик и возможностей использования уникальных свойств в элементах сверхпроводящей цифровой и квантовой логики. Новый тип джозефсоновского контакта с ферромагнитной слабой связью (контакт сверх п ро водіш к-ферром агнети к-сверх п ро водн и к, Б КБ- кої п акт) был изготовлен в лаборатории сверхпроводимости ИФТТ РАН в 1999 году [5]. Вскоре после этого, в 2001 году, здесь же на основе БРЭ-контакта был реализован сверхпроводящий инвертор фазы или тг-контакт [б), который-является одним из перспективных элементов сверхпроводящей электроники. В основе джозефсоновского инвертора фазы лежит эффект близости на границе сверхпроводник/ферромагнетик (ЭР-гран и це). При хорошем металлическом контакте наведенная сверхпроводящая волновая функция в ферромагнетике прежде, чем затухнуть под воздействием температуры и обменного поля, осциллируя, успевает поменять фазу. Это свойство позволяет изготавливать ЭРБ-контакты с такой толщиной ферромагнетика, которая обеспечивает спонтанный сдвиг фазы тг на Р-слое [7|. Возможность использования джозефсоновского инвертора фазы в качестве элемента сверхпроводящей цифровой и квантовой логики представлена в работах (5-І2]. Эти работы заложили фундамент для дальнейшего успешного развития данной тематики не только в нашей лаборатории ИФТТ РАН, но и других научных центрах (см. обзор |7|).
Джозефсоновские БРЭ-структуры могут быть использованы в криоэлектронике в качестве элементов логических устройств и элементов памяти. Простейшее их применение, как будет показано в этой диссертационной работе, основано на возможности переключения джозефсоновских магнитных контактов между состояниями с различным критическим током импульсами слабых магнитных полей. 8РЯ 7г-контакты имеют перспективу использования в сверхпроводящей цифровой и квантовой логике в качестве внутренних источников смещения, поскольку разность фаз, задаваемая 7г-контактом, иг-
10
рает ту же роль в сверхпроводящих схемах, какую разность электрических потенциалов играет' в обычных электрических схемах. ЭРЗ-контакты могут помочь разрешить две основные проблемы, стоящие на пути активного развития ВБРС^-электроники: ограничение на возможность уменьшения базисных ячеек, связанное с необходимостью обеспечения достаточной индуктивности для удержания кванта магнитного потока, и отсутствие компактной магнитной памяти, совместимой с ИБИС^-схемами. Первая проблема решается включением в базисную ячейку тг-контакта, задающего смещение, которое заменяет необходимую в стандартных схемах геометрическую индуктивность |9, 13, 14]. Компактная джозефсоновская магнитная память может быть реализована на джозефсоновских магнитных переключателях, исследованных в настоящей диссертационной работе. Два логических состояния этих переключателей, как отмечено выше, соответствуют двум значениям критического тока БРЭ-контакта (в нулевом магнитном поле), возникающим при перемаг-ничивании ферромагнитного барьера.
Таким образом, диссертация посвящена экспериментальному исследованию джозефсоновских контактов с магнитным барьером, т.е. слоистых джозефсоновских структур типа сверхпроводник - ферромагнетик - сверхпроводник рРЭ-контактов) и сверхпроводник - изолятор - ферромагнетик- сверхпроводник (81РЭ-контактов), представляющих большой интерес как с научной, так и с практической точек зрения. Присутствие дополнительного туннельного (1) слоя в джозефсоновских структурах с магнитным барьером способствует улучшению критических характеристик, необходимых для их практического применения в джозефсоновской цифровой и квантовой логике в качестве инверторов фазы и магнитных джозефсоновских переключателей.
Цели данной диссертационной работы состояли в реализации гибридных джозефсоновких структур с туннельным и магнитным барьером (ЗП'Б-колтактов), наблюдении перехода 81Р8-контакта в тг-состояние с инверсией сверхпроводящей фазы, демонстрации работы джозефсоновских магнитных
11
переключателей на основе SFS и SIFS-контактов, а также в изучении возможности применения SIFS-структур в качестве элементов криогенной памяти.
Для реализации поставленных целей были решены следующие задачи:
• Разработаны и оптимизированы комбинированные технологии приготовления джозефсоновских магнитных SFS и SIFS-контактов. Для этого созданы лабораторные технологические установки: автоматизированная установка плазмохимического ионного травления в среде CF4.O2 (RIE); автоматизированная высоковакуумная (И)-' мБар) установка термического осаждения тонких пленок с опцией теневого напыления (TES); система автоматизированного электрохимического анодирования. В среде LabView разработана универсальная программа измерения транспортных характеристик джозефсоновских структур с 3D визуализацией экспериментальных данных в реальном времени.
• Отработана хорошо воспроизводимая технология получения туннельного слоя (I) в SIS и SIFS-контактах, обеспечивающая заданную плотность критического тока.
• Исследована зависимость критического тока джозефсоновских SFS и SIFS-контактов от толщины ферромагнетика в широком интервале толщин, сопоставимом с полным периодом осцилляций сверхпроводящего параметра порядка. Обнаружен 0-тг переход в джозефсоновском магнитном контакте с туннельным барьером. Определены интервалы толщин, в которых SIFS-переход является 0- или 7г-контактом.
• Проведено сравнение экспериментальных результатов по SIFS контактам с данными численного моделирования на основе микроскопической теории, учитывающей влияние рассеяния электронов с переворотом спина в ферромагнитном слое (для чистого и грязного пределов).
• Продемонстрирована возможность создания элементов памяти, обладающих необходимыми характеристиками, на основе джозефсоновских
12
магнитных переключателей N6 - Рс1.(шРео.01 - МЬ и ЛГ6 - Л/0.г -^).99^ео.01 — N6 с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой Pd.Ee. Эффект переключения основан на гистерезисной зависимости критического тока 8Р8 и 8ТР8-контактов от внешнего магнитного поля, которая позволяет переключать такие контакты между двумя состояниями с разными значениями критического тока, воздействуя на образец импульсами слабого магнитного поля.
о
• Показано, что введение туннельного слоя в магнитный джозефсонов-ский переход позволяет существенно увеличить характеристическое джозефсоновское напряжение и уменьшить джозефсоновское время переключения контактов с магнитным слоем.
Основные результаты и положения, выносимые на защиту
• Изготовлены и изучены джозефсоновские Б1РЭ-контакты N1) — Л10х — N1 - NЬ с сильным ферромагнитным (№) и туннельным (ЛЮХ) слоями. Наличие туннельного слоя привело к существенному увеличению характеристического джозефсоновского напряжения по сравнению с $ РЭ- контактам и (без туннельного слоя), что позволило проводить измерения джозефсоновских характеристик стандартными методами (без п р и м енен и я п и ко вол ьтм етра).
• Проведены исследования зависимости критического тока 81Р8-контактов от толщины никелевого Р-слоя в широком интервале толщин. Обнаружены пространственные осцилляции наведенного сверхпроводящего параметра порядка в поли кристаллическом никеле, определен их период.
• Обнаружен переход джозефсоновского 81Р8-контакта в тг-состояние с инверсным джозефсоиовским ток-фазовым соотношением как при изменении толщины ферромагнитного слоя, так и при изменении темпе-
13
ратуры (для Э^Э-контакта с толщиной Р-слоя близкой к критической толщине 0-тг-перехода).
• В результате сравнения полученных экспериментальных результатов с существующими теоретическими моделями для случаев чистого и грязного ферромагнетика с учетом рассеяния электронов с переворотом спина получено удовлетворительное соответствие при использовании ха-рактеристик ферромагнитного никеля в качестве подгоночных параметров. Показано, что сдвиги зависимостей критического тока контактов от магнитного поля, обнаруженные для больших исследованных толщин, связаны с изменениями магнитной анизотропии никелевого слоя.
• Проведена характеризация пленок слабоферромагнитного магнитомягкого сплава Pfi0.9g.Feо.оь использованных в качестве джозефсоновских барьеров в магнитных переключателях. Получена экспериментальная зависимость температуры Кюри ферромагнитных пленок от толщины, которая для наименьших исследованных толщин (менее 30 нм) опускается ниже 10 К.
• Изготовлены и исследованы джозефсоновекие ЭРЗ-контакты /V6 -РсІРе - А7Ь с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой. Показано, что прослойка Р<1Ре проявляет однородную намагниченность вдоль слоя при планарных размерах менее 10 мкм, в то время как при больших размерах наблюдаются заметные искажения стандартной зависимости критического тока от внешнего магнитного поля.
• Продемонстрировано, что гистерезисная зависимость намагниченности прослойки РсІРе (Р-слоя) от внешнего магнитного поля Я приводит к неоднозначной зависимости /С(Я) критического тока Б РЭ-контактов от магнитного поля. Разработан метод "джозефсоиовской магнитометрии" , т.е. восстановления петли перемагайчивания тонкого ферромагнитного слоя из экспериментальных зависимости /С(Я) в случае магнито-однородных Р-слоев.
14
• Изготовлены и изучены джозефсоновские Э^Б-контакты N1) — А10х — (Л/'6)—Р(/і?е—Аг6 с магнитомягким ферромагнитным (РсІРе) и туннельным (А10х) слоями. Введение туннельного слоя существенно увеличило характеристическое напряжение и позволило уменьшить джозефсонов-ское время переключения контактов почти на 5 порядков.
• Продемонстрирована возможность практического использования $Р$ и БІРЗ джозефсоновских контактов в качестве магнитных джозефсонов-ских ііереключателей.
Практическая ценность работы.
Полученные экспериментальные результаты демонстрируют возможность использования БІР5 структур в криоэлектронике в качестве элементов логических устройств и элементов памяти. Простейшее их применение-основано на возможности переключения джозефсоновских магнитных контактов между состояниями с различным критическим током импульсами слабых магнитных полей. Более сложные структуры - 7г-контакты с магнитным и дополнительным туннельным слоем, могут использоваться как самостоятельные активные элементы в цифровой и квантовой сверхпроводящей электронике.
Научная новизна
Впервые подробно исследованы ЗІББ джозефсоновские контакты с сильным ферромагнетиком (N1) в широком диапазоне толщин ферромагнитного слоя, позволяющем обнаружить полный период осцилляций параметра порядка и провести анализ результатов на основе современных микроскопических теорий. Впервые обнаружен температурный 0-7г-переход на джозеф-соповских структурах с магнитным и туннельным барьером. Показано, что характеристеристическое джозефсоновское напряжение магнитных контактов в присутствии туннельного барьера значительно увеличивается, что дает возможность их интегрирования в существующую сверхпроводящую электронику в качестве активных джозефсоновских элементов. Впервые изготовлены и изучены джозефсоновские структуры со слоем слабого магнитомяг-
15
кого ферромагнетика (-Pdb.99Feo.01), в том числе с дополнительным туннельным слоем. Впервые продемонстрирована возможность использования SFS и SIFS структур со слоем PdFe в качестве устойчивых во времени переключающих элементов (джозефсоновских магнитных переключателей). Показано, что туннельный слой на несколько порядков уменьшает время считывания состояния переключателя за счет увеличения характеристического джозефсоновского напряжения переключателей от едениц нЕ1 до сотен мкВ. Разработанная технология изготовления джозефсоновских магнитных переключателей полностью интегрируется в ниобиевую технологию изготовления цифровых сверхпроводящих (RSFQ) устройств, в которых джозефсоиовские магнитные переключатели могут выполнять функции оперативной памяти, работающей на частотах до десятков ГГц.
По материалам данной диссертационной работы опубликованы следующие статьи:
|А1 ]. A.A. Bannykh, J. Pfeiffer, V.S. Stolyarov, I.E. Batov. V.V. Ryazanov, M. Weides, "Josephson tunnel junctions with a strong ferromagnetic interlayer", Phys. Rev. B. 79, 054501 (2009).
[A2|. B.B. Больгимов, B.C. Столяров, Д.С. Собанин, A.J1. Карпович, В.В. Рязанов, ''Магнитные переключатели на основе джозефсоновских переходов Nb-PdFe-Nb с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой" , Письма в ЖЭТФ, 95, 7, 408 (2012).
[АЗ]. Т. I. Larkin, V.V. BoLginov, V.S. Stolyarov, V.V. Ryazanov, l.V. Vernik,
S.K. Tolpygo and O. A. Mukhanov, "Ferromagnetic Josephson switching device with high characteristic voltage", Appl. Phys. Lett. 100, 222601 (2012).
16
А также сделаны доклады на конференциях:
1. V.V. Ryazanov, V.A. Oboznov, V.V. Bolginov, V.S.Stolyarov, A.K. Feofanov, АЛЛ Ustinov, "The superconducting phase invertors and their application in the digital and quantum logic", Nanophysics and Nanoelectronics Symposium 2009, Nizhniy Novgorod, Russia, http: //nanosymp. ru
2. V.S.Stolyarov, S.V. Egorov, "Technological complex for nanocircuit fabrication (including SIS, SNS, SI'S, SIFS Josephson junctions)", RUSNANOTECH 2009, Moscow, Russia, http://www.rusnanoforum.ru
3. V.V. Ryazanov, V.S. Stolyarov, T. Cren, D. Roditchev T.E. Golikova V.A.Oboznov, S.V. Egorov. "Research of coherent and nonequilibrium effects in hybrid structures superconductor - ferromagnetic ", Nanophysics and' Nanoelectronics Symposium 2010, Nizhniy Novgorod, Russia, http:// n an osy m p. ru
4. V.S. Stolyarov, A.Yu.Rusanov, V.A.Oboznov, V.V.Ryazanov, T. Cren,
D. Roditchev, "Research spatial distribution density of states from superconductor on SF and SN borders by means of STM at low temperature and high vacuum", ESONN 2010 Poster session. Grenoble, France, http: / / www.esonn.fr
5. V.S. Stolyarov, D.A. Fokin, S.V. Egorov, S.A. Nikonov, A.Y. Rusanov. Title: "Ultrahighvacuum closed system of modeling and manufacturing of multilayered heterostrutures for superconducting electronics", RUSNANOTECH 2010, Москва, http://www.rusnanoforum.ru
6. В.В. Вольгинов, B.C. Столяров, В.В. Рязанов, "Реализация магнитной джозефсоновской памяти на основе переходов с магнито-мягкой ферромагнитной прослойкой", XXXVI совещание но физике низких температур (НТ-36), 2012, Санкт-Петербург.
Объем и структура диссертации.
- Київ+380960830922