- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340672 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз
- Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности
- Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем
- Разработка интегральной микросхемы частотного компаратора для блока управления экономайзером отечественных легковых автомобилей
- Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля
- Восстановление данных послойного ВИМС-анализа сверхтонких структур
- Электрооптические свойства жидкокристаллических ячеек с повышенной крутизной вольт-контрастной характеристики
- Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро- и наноэлектроники
- Численное исследование коллективных процессов в микроэлектронных структурах и оптимизация приборов больших интегральных схем
- Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе