- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340672 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
- Мультисенсорные системы распознавания газов на основе металло-оксидных тонких пленок и наноструктур
- Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения
- Статистическая теория нестационарных лавинно-пробойных процессов в кремниевых планарных фотодиодных структурах
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и δ-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации
- Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии
- Конверсионная модель эффекта низкой интенсивности в биполярных интегральных микросхемах космического назначения
- Лазерное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O7- δ для применений в пассивных высокочастотных устройствах
- Проектирование высокоинтегрированных программируемых логических интегральных схем по субмикронным проектным нормам
- Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур