Ви є тут

Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4

Автор: 

Потапов Александр Васильевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000221010

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Теплофизические свойства легированного кремния
• Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния, стимулированная ионным облучением
• Вихревые структуры и токовое состояние в сверхпроводниках с планарными дефектами и гетероструктурах ферромагнетик - сверхпроводник II рода
• Энергетический спектр двумерных электронных состояний в гетеро- и МДП-структурах на основе бесцелевого полупроводника HgCdTe
• Исследование влияния пространственно-временного распределения энергии на фазовые переходы при импульсных энергетических воздействиях на полупроводники
• Релаксационные процессы на фасетированных межзеренных границах
• Закономерности влияния электронного строения на свойства кубических соединений элементов группы железа с B, C, N, O
• Радиационно- и фотостимулированное дефектообразование в активированных оксидных и фторидных стеклах
• Структура и динамика кристаллов с молекулярными ионами аммония и пиридина в широком диапазоне давлений и температур
• Мезоскопическая субструктура и механизм усталостного разрушения поликристаллов дуралюмина с макроконцентратами напряжений