3
3.4.Исследование воздействия импульсов положительной
полярности......................................................105
3.5.Исследование воздействия импульсов отрицательной
полярности.....................................................112
3.6.Механизмы обратимой деградации. Интерпретация результатов. 120 Выводы.....................................................128
Глава 4. Моделирование деградационных процессов в ПТШ под воздействием СКИ......................................................129
4.1.Модель Хаммерштейна в случаях дискретного и непрерывного времен.....................................................129
4.2.Математическая модель деградационных процессов в ПТШ и определение её параметров на основе экспериментальных данных.. 138
4.3.Внедрение модели ПТШ в пакеты схемотехнического проектирования.............................................149
4.4.Параметр обратимой деградации...............................157
Выводы..........................................................160
Заключение............................................................161
Библиографический список использованной литературы....................164
Приложение............................................................178
4
Список используемых сокращений
MESFETs-inetal semiconductor field effect transistor
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
МШУ - малошумящий усилитель
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РПУ - радиоприемное устройство
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
РЭС - радиоэлектронное средство
САПР - Система автоматизированного проектирования
СКИ - сверхкороткий импульс
ЭМО - электромагнитная обстановка
ЭМИ - электромагнитное излучение
ЭМС - электромагнитная совместимость
ЭС - эквивалентная схема
5
Введение
6
7
приемника РЛС и, соответственно, к снижению дальности ее действия.
В связи с этим при проектировании РЭС, функционирующих в
9
11
14
проектирования.
- Київ+380960830922