Пайка кристаллов силовых полупроводниковых приборов с применением бессвинцовых сплавов

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. БЕССВИНЦОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ ППИ
1.1. Конструктивнотехнологические критерии выбора бессвинцовых припоев.
1.2. Покрытия паяемых поверхностей под пайку
бессвинцовыми припоями.
1.3. Анализ способов и технологий напайки кристаллов бессвинцовыми сплавами.
1.4. Способы оценки качества паяных соединений ППИ.
1.5. Тепловое сопротивление кристаллкорпус как параметр
оценки качества напайки кристаллов и надежности ППИ
1.6. Отбраковочные испытания ППИ.
1.7. Методы, приборы и оборудование, используемые
для проведения экспериментов.
Выводы и постановка задач для исследования и разработок
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВЫХ
БЕССВИНЦОВЫХ ПРИПОЕВ.
2.1. Анализ существующих бессвинцовых припоев
2.2. Разработка новых составов бессвинцовых припоев
2.3. Оценка смачивания и растекания новых бессвинцовых
припоев по паяемым поверхностям кристалла и корпуса
2.4. Исследование технологических свойств сплава
,п,4В11ДБЬ вес..
Выводы.
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ МАРКИ ПРИПОЯ, СПОСОБОВ И РЕЖИМОВ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ПАРАМЕТРЫ СПП .
3.1. Методы, приборы и оборудование, используемые
для проведения экспериментов
3.2. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов ТО0 и КТВ на электрические параметры транзисторов 2П7В.
3.3. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов ТО0 и КТВ на Ят Крк транзисторов 2П7В.
Выводы
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА НОВЫХ СПОСОБОВ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВАНИЯ КОРПУСОВ СПП С ПРИМЕНЕНИЕМ БЕССВИНЦОВЫХ СПЛАВОВ
4.1. Способ пайки кристаллов с использованием локального
нагрева.
4.2. Способ присоединения кристаллов к корпусам
с образованием эвтектики 8ьАи.
4.3. Способ присоединения кристаллов к корпусам
с образованием эвтектик и Ап
4.4. Способ пайки полупроводникового кристалла к основанию корпуса бессвинцовым припоем
4.5. Разработка способа пайки кристаллов с образованием эвтектики .
4.5.1. Исследование свойств алюминиевой металлизации
корпусов СИП, полученной гальваническим осаждением
4.5.2. Исследование качества паяных соединений кристаллов
с образованием эвтектики А12п
4.6. Пайка полупроводниковых кристаллов со столбиковыми выводами методом ii с использованием бессвинцовых
припоев
4.7. Разработка способа контроля предельно допустимой температуры нагрева ГТТТИ
Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА