Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах A3B5

Содержание
Введение
Глава 1. Поглощение и испускание терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах обзор литературы
1.1. Генерация электромагнитного излучения среднего и дальнего ИК диапазонов при смешении оптических мод в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе пСаАзЛЗаАзДпСаР
1.2. Генерация и детектирование электромагнитного излучения в нанометровых полевых транзисторах.
1.2.1. Длинноканальный полевой транзистор
1.2.2. Теория токовой неустойчивости Дьяконоваура в канале полевого транзистора
1.2.3. Модель резонансного детектирования электромагнитного излучения в полевом транзисторе
1.2.4. Эффект Ганна
1.3. Генерация терагерцового излучения в квантовых каскадных структурах.
1.3.1. Униполярный квантовокаскадный лазер, различные дизайны активных сред в квантовокаскадном лазере
1.3.2. Инверсия населенности между подзонами для случая двух видов дизайна ККЛ сверхрешегочная активная область или же состоящая из двух трех квантовых ям.
1.3.3. Терагерцовые ККЛ
Глава 2. Генерация излучения на разностной частоте в двухчастотных инжекционных полупроводниковых лазерах пСаАзваАзпСаР.
2.1. Двухчастотная генерация в полупроводниковых лазерах с квантовыми ямами ЫСаАБСаАБЛпСаР
2.1.1. Метод исследования
2.1.2. Управление интенсивностями линий в двухчастотных полупроводниковых лазерах пСаАзваАзпОаР
2.2. Генерация излучения на удвоенных и суммарной частотах в двухчиповых полупроводниковых лазерах
2.2.1. Метод исследования
2.2.2. Результаты и обсуждение.
2.3. Наблюдение излучения среднего ИК диапазона в двухчастотных лазерах пСаАзваАзпОаР
2.4. Генерация излучения на удвоенных и суммарной частотах в двухчастотном межзонном каскадном лазере с туннельным переходом.
2.4.1. Метод исследования
2.4.2. Результаты и обсуждение.
Глава 3. Детектирование и генерация терагерцового излучения в нанометровых полевых транзисторах.
3.1. Резонансное детектирование терагерцового излучения в нанометровом полевом транзисторе ЗаЫАЮаЫ
3.1.1. Метод исследования
3.1.2. Транспортные и магнитотранспортные характеристики транзистора
СаМАЮаЫ.
3.1.3. ФотоЭДС транзистора ОаЫАЮаЫ в зависимости от напряжения на
затворе
3.2. Резонансное детектирование терагерцового излучения в нанометровом полевом транзисторе СаАзАЮаАБ
3.2.1. Метод исследования
3.2.2. Переходная характеристика и ВАХ транзистора ОаАзАЮаАБ
3.2.3. Результаты и обсуждение.
3.3. Генерация терагерцового излучения в наиомегровых полевых транзисторах СаАзАЮаАБ
3.3.1. Метод исследования
3.3.2. Результаты и обсуждение.
Глава 4. Генерация терагерцового излучения в квантовых каскадных структурах АЮаАБЮаАз.
4.1. Метод исследования
4.2. Результаты теоретических расчетов оитоэлекгронных свойств квантовых каскадных структур АЮаАзСаАэ.
4.3. Вольтамперные характеристики и интегральное излучение квантовых каскадных струкгур АЮаАзЛЗаАз.
4.4. Спектры излучения квантовых каскадных структур АЮаАзОаАэ
Заключение
Приложение. Наблюдение излучения среднего ИК диапазона в двухчиповых
лазерах ЬЮаАБОаЛвДпОаР.
Список цитированной литературы