Содержание
Введение
1. Современные представления о методах получения диэлектрических пленок на
1.1. Взаимодействие световых потоков с С и структурами вЮС
1.2. Методы окисления карбида кремния
1.3. Фотонностимулированные процессы окисления полупроводников
1.4. Постановка задач диссертации
2. Моделирование процесса окисления
2.1. Расчет концентрации активных кислородных частиц при окислении
2.2. Термодинамический анализ реакций окисления С
2.3. Модель процесса термического окисления и фотостимулированного окисления
2.4. Адсорбция окислителя на внешней поверхности окисла
2.5. Выводы
3. Влияния геометрии реактора на появление термоупруг их напряжений
в пластине карбида кремния при импульсной термообработке
3.1. Модель расчета облученности полупроводниковой пластины
3.2. Модель расчета температуры и термоупругих напряжений
3.3. Анализ возможности бездефектной обработки пластин на основе вышеприведенных моделей
3.4. Выводы
4. Экспериментальное получение оксидных пленок с УФ и ИК
4.1. Оборудование для активационных процессов формирования диэлектрических пленок на поверхности карбида кремния
4.2. Экспериментальное исследование процесса фотонностимулированного процесса окисления
4.3. Исследование электрофизических параметров оксидных пленок
4.4. Выводы
Заключение
Список использованных источников
- Київ+380960830922