Ви є тут

Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента

Автор: 

Середин Лев Михайлович

Тип роботи: 

диссертация кандидата технических наук

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

175

Артикул:

1000273918

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
• Разработка основ технологии получения углеродного нанокристаллического материала и металлоуглеродных нанокомпозитов на основе полиакрилонитрила и солей металлов : Cu, Fe, Co
• Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al_x Ga_1-x As и In_x Ga_1-x As на основе математической модели
• Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере
• Разработка технологии изготовления термоэлектрических материалов из субмикронных и нанопорошков сплавов теллурида висмута для создания высокоэффективных твердотельных преобразователей энергии
• Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
• Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС
• Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках : технологические аспекты
• Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
• Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца