ЗМІСТ
Ст.Вступ .
РОЗДІЛ I. АНОМАЛЬНІ ЕФЕКТИ В HgSe ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ CdxHg-xSe З ДОМІШКАМИ ПЕРЕХІДНИХ ТА РІДКІСНОЗЕМЕЛЬНИХ ЕЛЕМЕНТІВ (короткий літературний огляд) .
РОЗДІЛ II. МАГНІТНА СПРИЙНЯТЛИВІСТЬ HgSe:Fe, Cr, Co ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЇХ ОСНОВІ
2.1. Методика вимірювання магнітної сприйнятливості модуляцією низькочастотним полем
2.2. Магнетизм іонів Fe в безщілинних напівпровідниках FexHg-xSe .
2.3. Магнетизм кристалів CrxHg-x-yMnySe, вирощених методом Бріджмена .
2.4. Вплив концентрації Cr на структурні і магнітні властивості
CrxHg-xSe
2.5. Спектри ЕПР твердих розчинів CrxHg-xSe (, ? x ? ,).
2.6. Поведінка Со в магнітній сприйнятливості HgSe та спектрах оптичного поглинання в CdxHg-xSe
2.7. Ефекти магнітного впорядкування в кристалах CrxHg-xSe, одержаних твердотільною рекристалізацією
Короткі висновки .
РОЗДІЛ III. ПОВЕДІНКА ГАДОЛІНІЮ В СЕЛЕНІДІ РТУТІ3.1. Температурні залежності питомого опору та коефіцієнту Холла в зразках HgSe:Gd
3.2. Питомий опір та коефіцієнт Холла в зразках HgSe:Gd, термічно оброблених в парах Hg, Se .
3.3. Температурні залежності рухливостей в селеніді ртуті та їх особливості при різних концентраціях NGd
3.4. Структурні властивості HgSe:Gd ( ? х ? ,).
Короткі висновки .
РОЗДІЛ IV. ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ВАХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НАПІВМАГНІТНИЙ НАПІВПРОВІДНИК -НЕМАГНІТНИЙ НАПІВПРОВІДНИК .
4.1. Технологія вирощування структур на основі напівмагнітних напівпровідників AB методом лазерного розпилення
4.2. Виготовлення структур Cd-xMnxTe - HgInTe високочастотним іонно-плазмовим розпиленням.
4.3. Анізотропія феромагнітних центрів в кристалах CdxHg-x-yCrySe.
4.4. Методика досліджень вольт-амперних характеристик гетероструктур 4.5. Вольтамперні характеристики структур на основі
CdxHg-x-yCrySe / MnxHg-xTe
4.6. ВАХ структур Cd-xMnxTe - HgInTe, їх поведінка в магнітному полі та при освітленні.
4.7. Електронно-мікроскопічні дослідження гетероструктур
Cd-xMnxTe - HgInTe6.
Короткі висновки .
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ.СПИСОК
- Київ+380960830922