Содержание
Введение
Раздел АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ И ПОЛЕЙ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ GaAs ПО LEC ТЕХНОЛОГИИ
1. Определение тепловых и упругих напряжений, обусловленных условиями выращивания GaAs
1. Распределение температурного поля и термических напряжений по высоте кристалла GaAs
1. Моделирование процесса выращивания монокристаллов GaAs по LEC технологии
1. Методы наблюдения структурных несовершенств в пластинах GaAs
1. Цель и задачи исследования
Выводы по
разделу
Раздел РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ И ПРОЦЕДУР РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ТЕПЛООБМЕНА НА ПОВЕРХНОСТИ СЛИТКА С УЧЕТОМ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТЕПЛОВОГО УЗЛА
2. Определение закономерностей влияния взаимного расположения конструктивных элементов на тепловые потоки излучения в рабочей зоне теплового узла ростовой установки
2. Синтез процедуры численно-аналитического решения задачи теплообмена на поверхности слитка
2. Разработка экспрессной методики определения структурного совершенства пластин GaAs
Выводы по
разделу
Раздел РАЗРАБОТКА ТЕПЛОВОГО УЗЛА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛИТКОВ GaAs С ПОНИЖЕННЫМ СОДЕРЖАНИЕМ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ
3. Разработка методики оптимизации размеров и расположения теплового экрана ростовой установки
3. Определение оптимальной конфигурации тепловых экранов для выращивания слитков с минимальными термопластическими напряжениями
3. Разработка конструкции теплового узла для формирования тепловых условий выращивания слитков с содержанием структурных дефектов менее см-
Выводы по
разделу
Раздел ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ И ДИСЛОКАЦИЙ В ПЛАСТИНАХ GaAs
4. Исследование остаточных напряжений по длине слитков, выращенных на установке "Арсенид-"
4. Исследование плотности дислокаций по длине слитков, выращенных на установке "Арсенид-"
4. Исследование остаточных напряжений по длине слитков, выращенных на установке "Арсенид-А"
4. Исследование плотности дислокаций по длине слитков, выращенных на установке "Арсенид-А"
Выводы по
разделу
Выводы
Список
- Київ+380960830922