Ви є тут

Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи.

Автор: 

Клюй Микола Іванович

Тип роботи: 

Дис. докт. наук

Рік: 

2000

Артикул:

0500U000260 (Д)

129 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Молекулярно-динамічне моделювання масоперенесення у твердому тілі під дією іонів низьких енергій
• Просторово-секторальна локалізація механізму міжнародної спеціалізації в системі геоекономічних пріоритетів України
• Модель динамічного трикристального картографування картини розсіяння кристалів з дефектами
• Біляпорогова кратна іонізація внутрішніх електронних оболонок атомів кремнію та 3d-, 5d-металів
• Оптичні та структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі GaN і ZnO
• Квантові та структурнорозмірні ефекти в сегнетоелектричних і феромагнітних наносистемах
• Нові моделі початкових стадій дифузійних твердофазних реакцій у тонких плівках та наночастинках
• Експериментальні дослідження високопольових автосолітонів в нерівноважній електронно-дірковій плазмі в кристалах Ge та Si.
• Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею
• Особливості формування дифракційного контрасту дислокацій та їх комплексів в кристалах Si у секційній та проекційній Х-променевій топографії