ЗМІСТ
ВСТУП. Загальна характеристика роботи
РОЗДІЛ
Сучасний стан технології створення бар'єрних структур на основі органічних напівпровідників1.1. Сучасний стан розробки електрогенераційних пристроїв для потреб енергетики1.2. Аналіз технології формування бар'єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів1.3. Оцінка ефективності роботи фотовольтаїчних елементів, створених на основі органічних матеріалів та шляхи її вдосконалення.1.4. Технологічні особливості створення тонких плівок органічних напівпровідників1.5. Електричні властивості плівок органічних напівпровідників та бар'єрних структур на їх основі1.6. Вибір напрямків досліджень та постановка задачі
РОЗДІЛ 2.
Розробка технології плівкових компонент органічних бар'єрних структур на основі низькомолекулярних напівпровідників та електропровідних полімерів 2.1. Технологічні особливості формування електричних контактів до органічних бар'єрних структур 2.2. Технологічні аспекти формування функціональних тонких плівок органічних напівпровідникових матеріалів 2.3. Формування інжекторних плівок ПЕДОТ:ПСС в технології створення фотогенераційних органічних пристроїв 2.4. Деградація органічних електрогенераційних структур та методи її подоланняВисновки до другого
розділу
РОЗДІЛ
Структурні та оптичні властивості тонких плівок органічних напівпровідників, отриманих методом термовакуумного напилення на оптично прозорих електропровідних підкладках3.1. Структура, поверхнева морфологія та фазовий склад функціональних плівок органічних напівпровідників та електропровідних полімерів, отриманих методом вакуумного напилення3.2. Аналіз морфології тонких електропровідних полімерів класу поліаміноаренів, отриманих термовакуумним напиленням3.3. Оптичні властивості тонких плівок поліаніліну, отриманих різними вакуумними методами напилення3.4. Оптична спектроскопія функціональних тонких плівок електропровідних полімерів класу поліаміноаренів та низькомолекулярних напівпровідників3.5. Інфрачервона спектроскопія плівок електропровідних полімерів3.6. Спектри оптичного поглинання плівок низькомолекулярних напівпровідників (пентацену, фталоціаніну нікелю та похідної перилену), сформовані на прозорих електропровідних підкладкахВисновки до третього
розділу
РОЗДІЛ
Розробка технології органічних бар'єрних структур та вивчення їхніх електрофізичних властивостей 4.1. Структури на основі бар'єру метал-органічний напівпровідник 4.1.1. Структури на основі плівки фталоціаніну нікелю, легованої киснем, сформованої на гнучкій електропровідній підкладці4.1.2. Бар'єрні структури на основі алюміній-поліортометоксианілін4.2. Органічні бар'єрні структури на основі p-n переходу (пентацен/DiMe-PTCDI)4.3. Вивчення впливу інтерфейсних шарів на електричні властивості органічних бар'єрних структур4.3.1. Вольт-амперні характеристики структури ITO/ПЕДОТ:ПСС/Pc/Al, сформованої на гнучкій лавсановій підкладці4.3.2. Органічна бар'єрна структура ITO/CuI/пентацен/Al4.4. Структури на основі органічних/неорганічних напівпровідникових матеріалів (ПЕДОТ:ПСС/ZnSe)4.5. Бар'єрна структура на основі композитних плівок низькомолекулярних напівпровідників (пентацену) та спряжених полімерів (поліаніліну)4.6. Електричні властивостей бар'єрних структур на основі органічних напівпровідників при змінному струмі4.6.1. Імпедансна спектроскопія органічних фоточутливих структур4.6.2. Вольт-фарадні дослідження органічних структурВисновки до четвертого
розділу
РОЗДІЛ
Дослідження спектральної фотовольтаїчної чутливості та фотогенераційних властивостей бар'єрних структур на основі органічних напівпровідників5.1. Бар'єрні структури на основі легованої киснем плівки фталоціаніну нікелю ITO/NiPc/Al5.2. Бар'єрні структури на основі ITO/пентацен/DiMe-PTCDI/Al5.3. Композитна фоточутлива структура ITO/ПАН:пентацен/Al5.4. Бар'єрні структури на основі ITO/ПЕДОТ:ПСС/пентацен/Al5.5. Бар'єрні структури на основі пентацену та йодиду міді ITO/CuI/пентацен5.6. Фотовольтаїчні властивості гетеропереходу на основі ПЕДОТ:ПСС/ZnSeВисновки до п'ятого
розділу
РОЗДІЛ
Дослідження сенсорних властивостей тонких плівок органічних напівпровідників та бар'єрних структур під час взаємодії з газовим середовищем 6.1. Вивчення бар'єрних структур на основі тонких плівок фталоціаніну нікелю під час взаємодії з газовим середовищем аміаку6.2. Дослідження оптоелектронних та електрохімічних властивостей вакуумно напилених плівок органічних напівпровідників за допомогою поверхневого плазмонного резонансу 6.3. Дослідження оптичних спектрів плівок поліаніліну в середовищах із різною концентрацією аміаку6.4. Дослідження оптичних спектрів плівок поліаніліну в
в середовищах із різним рівнем водневого покажчика середовищаВисновки до шостого
розділуОсновні результати роботи та висновкиЛітература
СКОРОЧЕННЯ І УМОВНІ ПОЗНАЧЕННЯ
CN-PPV * полі(ціано-фенілен вінілен) СоРс * фталоціанін кобальтуCuPc * фталоціанін мідіCuPcF * фторований фталоціанін мідіCuI * йодид мідіGIXRD * Рентгеноструктурний аналіз методом ковзкого падіння променяITO * InO:SnO НРс * безметальний фталоціанінHOMO * найвища зайнята орбітальMEH-PPV * полі[-метокси-('-етил-гексилокси),-фенілен вінілен]MgPc * фталоціанін магніюNiPc * фталоціанін нікелюNаnoScope IIIa * атомно-силовий мікроскопLUMO * найнижча незайнята орбітальOTR * проникність кисню (oxygen transmission rate)PHT * полі(-гекситіофен)Per * диімід перилену-,,,-терракарбоксильної кислоти PPV * полі(фенілен вінілен) PPyV * полі(р-пирідилвінелен)WVTR * Проникність вологи (water vapor transmission rate) А** * ефективна константа рідчадсона Cj * ємність переходуCb * об'ємна ємністьd * товщинаFF * фактор заповненняKs * константа ШерераIкз * струм короткого замиканняI * струм насиченняl * температурний параметрn * коефіцієнт ідеальностіN * кількість локалізованих станівNv * ефективна густина станівNt(s) * загальна концентрація пасток на одиночному рівні * показник заломлення підкладкиk * стала Больцманаkex * коефіцієнт екстинкціїP(E) * концентрація пастокPo * густина пасток, нормована на одиницю енергії R * радіус стрибкаRп * коефіцієнт відбиванняRb * об'ємний опір Rj * опір переходуRs * послідовний опірS * площа S * основний синглетний станS * перший синглетний станT * температураT * триплетний станTп * коефіцієнт пропускання Тt * температурний параметр розподілу пастокUхх * напруга холостого ходуU * прикладена напругаq * заряд електрона? * постійна спаду хвильової функції локалізованого носія, ? * ширина рентгенівського піку на півмаксимумі інтенсивності? * діелектрична проникливість ? * діелектрична проникливість вакууму? * довжина хвилі? * рухливість носіїв заряду? * провідність? * власна провідність?ф * характеристична фононна частота? * кутова частота? * частота перескоку?int * енергія взаємодії між підкладкою і плівкою?sub * поверхневій енергії підкладки і * еліпсометричні кути? * Кут падіння рентгенівського променяФ * світловий потікЛЭФ-ЗМ- * лазерний нуль-еліпсометрПАН * поліанілінПЕДОТ:ПСС * полі(,-етилендиокситіофен)-полі(стиренсульфонат ПФА * поліфенілацетиленПОМА * поліортометоксианілінППР * Поверхнево-плазмонний резонансТППЕ * твердополімерні паливні елементи ТОПЕ * твердооксидні паливні елементи
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність
- Київ+380960830922